无核心层线路直接连接半导体晶片之结构及制法;A STRUCTURE OF A CORELESS SUBSTRATE WITH DIRECT ELECTRICAL CONNECTIONS TO THE CHIP AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

本发明系有关于一种无核心层线路直接连接半导体晶片之结构及制法，其制法包括：提供一具有凹槽之金属承载板；将一半导体晶片容置于该金属承载板之凹槽中，该半导体晶片具有一主动表面及一非主动表面，且该半导体晶片之主动表面具有复数电极垫；填充一黏着材料于该凹槽中以固定该半导体晶片；于该半导体晶片之主动表面及同侧之该金属承载板表面形成一防焊层，且该防焊层形成有复数开孔以显露出该半导体晶片之该等电极垫；于该防焊层表面及该些开孔中该半导体晶片之主动表面形成一增层结构；以及移除该金属承载板。本发明系于制法中藉该金属承载板支撑该增层结构，以避免翘曲的发生。

主权项

1.一种无核心层线路直接连接半导体晶片之制法，包括：提供一具有至少一凹槽之金属承载板；将一半导体晶片容置于该金属承载板之凹槽中，该半导体晶片具有相对之一主动表面及一非主动表面，且该半导体晶片之主动表面具有复数电极垫；填充一黏着材料于该凹槽中以固定该半导体晶片；于该半导体晶片之主动表面及同侧之该金属承载板表面形成一第一防焊层，且该第一防焊层形成有复数第一开孔以显露出该半导体晶片之该等电极垫；于第一防焊层表面及第一开孔中该半导体晶片之主动表面形成一增层结构，该增层结构具有线路层，并与该半导体晶片之电极垫电性连接；以及移除该金属承载板，以显露该半导体晶片之非主动表面、包覆该半导体晶片之该黏着材料、及该第一防焊层之部份表面。 ;2.如申请专利范围第1项所述之制法，其中，在移除该金属承载板之步骤时，系移除全部之该金属承载板。 ;3.如申请专利范围第1项所述之制法，其中，在移除该金属承载板之步骤时，部分之该金属承载板并未移除，以作为一金属支撑框架，俾以增加该增层结构之刚性。 ;4.如申请专利范围第1项所述之制法，其中该增层结包括有至少一介电层、至少一叠置于该介电层上之线路层、复数导电盲孔以及复数电性连接垫，且部份该导电盲孔系穿越第一防焊层之该第一开孔，以电性连接至该半导体晶片之电极垫。 ;5.如申请专利范围第4项所述之制法，复包括于该增层结构未与该半导体晶片同侧之另一表面形成一第二防焊层，且该第二防焊层表面形成复数第二开孔，俾以显露该增层结构之电性连接垫。 ;6.如申请专利范围第1项所述之制法，其中，该黏着材料系为有机薄膜介电材、液态有机树脂材料及树脂片(Prepreg)所组成之群组之其中一者。 ;7.如申请专利范围第1项所述之制法，其中，该黏着材料系以网版印刷或点胶的方式填充于该凹槽内。 ;8.一种无核心层线路直接连接半导体晶片之制法，包括：提供一具有至少一凹槽之金属承载板；将一半导体晶片容置于该金属承载板之凹槽中，该半导体晶片具有相对之一主动表面及一非主动表面，且该半导体晶片之主动表面具有复数电极垫；填充一黏着材料于该凹槽中以固定该半导体晶片；于该半导体晶片之主动表面及同侧之该金属承载板一表面形成一增层结构，该增层结构具有线路层，并与该半导体晶片之电极垫电性连接；移除该金属承载板，以显露该半导体晶片、包覆该半导体晶片之该黏着材料及部份该增层结构之与该半导体晶片同侧的表面；以及于所显露之该增层结构之一侧形成一第一防焊层，而该侧系为该增层结构与该半导体晶片主动表面连接之同侧。 ;9.如申请专利范围第8项所述之制法，其中该增层结构包括有至少一介电层、至少一叠置于该介电层上之线路层、复数导电盲孔以及复数电性连接垫，且部份该导电盲孔系电性连接至该半导体晶片之电极垫。 ;10.如申请专利范围第9项所述之制法，复包括于该增层结构未与该半导体晶片同侧之另一表面形成一第二防焊层，且该第二防焊层表面形成复数第二开孔，俾以显露该增层结构之电性连接垫。 ;11.如申请专利范围第8项所述之制法，其中，该黏着材料系为有机薄膜介电材、液态有机树脂材料及树脂片(Prepreg)所组成之群组之其中一者。 ;12.如申请专利范围第8项所述之制法，其中，该黏着材料系以网版印刷或点胶的方式填充于该凹槽内。 ;13.一种无核心层线路直接连接半导体晶片之结构，包括：一半导体晶片，该半导体晶片具有相对之一主动表面及一非主动表面，且该半导体晶片之主动表面具有复数电极垫；一增层结构，该增层结构具有相对之第一表面及第二表面，且包括有至少一介电层、至少一叠置于该介电层上之线路层、复数导电盲孔以及复数电性连接垫；以及一第一防焊层，系形成于该增层结构之第一表面，且第一防焊层对应于该半导体晶片之该些电极垫具有复数第一开孔，其中该增层结构之部份该导电盲孔系穿越第一防焊层之该第一开孔，以电性连接至该半导体晶片之该些电极垫，而该半导体晶片之非主动表面、及该第一防焊层之部份表面系显露出。 ;14.如申请专利范围第13项所述之结构，复包括一第二防焊层，系形成于该增层结构之第二表面上，且该第二防焊层表面具有复数第二开孔，俾以显露该增层结构之电性连接垫。 ;15.如申请专利范围第13项所述之结构，复包括一金属支撑框架，系形成于该增层结构之第一防焊层上，以增加该增层结构之刚性。 ;16.如申请专利范围第13项所述之结构，复包括一黏着材料，系包覆该半导体晶片以保护之，亦增强该半导体晶片与该增层结构之接合力，并显露该半导体晶片之非主动表面，藉以有效逸散该半导体晶片于运作时产生之热量。;图1系习知之覆晶式球栅矩阵封装结构之剖视图。;图2A至2E－1系本发明第一实施例之制作流程剖视图。;图3及图3－1系本发明第二实施例之结构剖视图。;图4A至4B系本发明第三实施例之制作流程剖视图。