具有成形边缘之半导体晶圆之制造方法;VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE MIT EINER PROFILIERTEN KANTE

摘要

本发明系关于一种具成形边缘之半导体晶圆之制造方法，包括以下步骤：自一晶体分离该半导体晶圆；一边缘轮廓产生步骤，于其中机械加工该边缘并使其获得一相对于目标轮廓为真正比例之轮廓；一机械加工步骤，于其中减少该半导体晶圆之厚度；以及一边缘轮廓加工步骤，于其中机械加工该边缘且使其获得该目标轮廓。

主权项

1.后侧及成形边缘之半导体晶圆之制造方法，包括以下步骤：选择一目标轮廓以用于该成形边缘；自一晶体分离一半导体晶圆；于一边缘轮廓产生步骤中产生一边缘轮廓，于其中研磨该边缘且获得一相对于该目标轮廓为真正比例之轮廓，其中，系以一具有粗糙磨粒之研磨工具进行研磨；于一机械加工步骤中加工该晶圆之至少一侧，于其中减少该半导体晶圆之厚度；及于一边缘轮廓加工步骤中进一步加工该边缘，于其中研磨该边缘且获得该目标轮廓，其中，系以一具有精细磨粒之研磨工具进行研磨，以使该边缘平滑；以及蚀刻及抛光该半导体晶圆，其中，于该边缘轮廓加工步骤后，免除该边缘之化学机械抛光。 ;2.如请求项1之方法，其中在该边缘轮廓产生步骤中，系将呈椭圆形之该半导体晶圆转变成圆形。 ;3.如请求项1之方法，其中该具有精细磨粒之研磨工具之磨粒相当于15 μm至0.5 μm之平均颗粒尺寸。 ;4.如请求项1或2之方法，其中该边缘轮廓产生步骤系包括两个或多个局部步骤。 ;5.如请求项1或2之方法，其中该边缘轮廓加工步骤系包括两个或多个局部步骤。;第1图系一具有R－轮廓(径向轮廓)之半导体晶圆之侧部及边缘轮廓之示意图；第2图系一具有T－轮廓(梯型轮廓)之半导体晶圆之侧部及边缘轮廓之示意图；第3图系一具有R－轮廓(径向轮廓)之半导体晶圆之侧部、边缘轮廓及目标轮廓之示意图；以及第4图系一具有T－轮廓(梯型轮廓)之半导体晶圆之侧部、边缘轮廓及目标轮廓之示意图。