矽点形成方法;SILICONDOT FORMING METHOD

摘要

提供在基体上以低温直接形成密度分布均匀粒径一致之矽点，由该矽点取得容易被终端处理之矽点形成方法。;其解决手段为在矽点形成室1设置矽溅镀靶材30，配置矽点形成对象基体S，使导入至该室内之溅镀用气体(以氢气为代表)予以电浆化，以该电浆化学溅镀靶材30而在基体S上形成矽点。或是在源自氢气及矽烷系气体之电浆发光强度比[Si (288nm)/Hβ]为10.0以下之电浆的状态下，在基体S上形成矽点。在源自氧气等之终端处理用气体之电浆的状态下，对该矽点施予终端处理。

主权项

1.一种矽点形成方法，其特征为：包含：矽点形成工程，在配置有矽点形成对象基体之矽点形成室内导入矽烷系气体及氢气，藉由对该些气体施加高频电力，使在该室内，发生电浆发光中波长在288nm之矽原子的发光强度Si (288nm)和波长在484nm之氢原子之发光强度Hβ之比[Si (288nm)/Hβ]为10.0以下之矽点形成用电浆，在该电浆之状态下，于上述基体上形成矽点；和终端处理工程，是在终端处理室内配置藉由上述矽点形成工程形成有矽点之基体，于该终端处理室内导入自含氧气体及含氮气体中所选出之至少一种的终端处理用气体，并对该气体施加高频电力使发生终端处理用电浆，在该终端处理用电浆之状态下，将该基体上之矽点予以终端处理，于上述矽点形成工程之前，在上述矽点形成室内设置矽溅镀靶材，在该矽点形成工程中并用藉由上述矽点形成用电浆对该靶材进行的化学溅镀。 ;2.如申请专利范围第1项所记载之矽点形成方法，其中上述矽点形成室是兼作上述终端处理室。 ;3.如申请专利范围第1项所记载之矽点形成方法，其中，上述终端处理室是连设于上述矽点形成室之室。;第1图是表示本发明所涉及之矽点形成方法之实施所使用之装置之1例的概略构成图。;第2图是表示电浆发光分光测量装置例之方块图。;第3图是执行排气装置之排气量(矽点形成室内压)之控制等之电路例的方块图。;第4图是表示矽点形成装置之其他例的图式。;第5图是表示形成矽膜之靶材基板和电极等之位置关系图。;第6图是表示矽点形成装置之又一其他例的图式。;第7图是模式性表示在实验例所取得之矽点构造例之图式。