绝缘层覆矽（ＳＯＩ）晶圆及其制造方法

摘要

本发明是一种SOI晶圆，是针对至少具备SOI层之SOI晶圆，其特征为：该SOI层之面方位的偏角是由{110}只往<100>方向，而且，偏角角度在5分以上2度以下；及一种SOI晶圆之制造方法，是针对至少贴合基底晶圆和由矽单结晶所成之接合晶圆，将该接合晶圆予以薄膜化以形成SOI层之SOI晶圆之制造方法，其特征为：前述接合晶圆是使用面方位由{110}只往<100>方向偏角，而且，偏角角度在5分以上2度以下之晶圆。藉此，可以提供具有高的膜厚均匀性和良好的微粗糙度之两者，适合于高速装置的制作之SOI晶圆及其制造方法。

主权项

1.一种SOI晶圆，系至少具备SOI层之SOI晶圆，其特征为：该SOI层的面方位是由{110}只往<100>方向偏角(off angle)，而且，偏角角度在5分以上2度以下。 ;2.如申请专利范围第1项所记载之SOI晶圆，其中，前述偏角角度在30分以上1度30分以下。 ;3.一种SOI晶圆之制造方法，是针对至少贴合基底晶圆和由矽单结晶所成之接合晶圆，将该接合晶圆予以薄膜化，以形成SOI层之SOI晶圆之制造方法，其特征为：前述接合晶圆是使用面方位由{110}只往<100>方向偏角，而且，偏角角度在5分以上2度以下者。 ;4.如申请专利范围第3项所记载之SOI晶圆之制造方法，其中，进而在非氧化性环境下，以1000℃以上1350℃以下之温度，对前述所获得之SOI晶圆施以热处理。 ;5.如申请专利范围第3项所记载之SOI晶圆之制造方法，其中，前述接合晶圆是由表面注入氢离子或稀有气体离子之至少其中一种，在表面附近形成有离子注入层者，在贴合该接合晶圆和前述基底晶圆后，藉由在前述离子注入层予以剥离，以进行前述接合晶圆之薄膜化。 ;6.如申请专利范围第4项所记载之SOI晶圆之制造方法，其中，前述接合晶圆是由表面注入氢离子或稀有气体离子之至少其中一种，在表面附近形成有离子注入层者，在贴合该接合晶圆和前述基底晶圆后，藉由在前述离子注入层予以剥离，以进行前述接合晶圆之薄膜化。 ;7.如申请专利范围第3项至第6项中任一项所记载之SOI晶圆之制造方法，其中，藉由绝缘膜贴合前述接合晶圆和前述基底晶圆。 ;8.如申请专利范围第3项至第6项中任一项所记载之SOI晶圆之制造方法，其中，使用前述偏角角度在30分以上1度30分以下之晶圆。 ;9.如申请专利范围第7项所记载之SOI晶圆之制造方法，其中，使用前述偏角角度在30分以上1度30分以下之晶圆。;第1图系表示本发明之实施例及比较例之偏角角度和高温热处理后的表面粗糙度之P-V值的关系曲线图。;第2图系表示本发明之实施例及比较例之偏角角度和高温热处理后之表面粗糙度的RMS值之关系曲线图。;第3图系系表示本发明之实施例及比较例之偏角的方向和高温热处理后之表面粗糙度的P-V值之关系曲线图。;第4图系表示本发明之实施例及比较例之偏角的方向和高温热处理后之表面粗糙度的RMS值之关系曲线图。