氧化铟-氧化锡粉末及使用该粉末之溅镀靶，以及氧化铟-氧化锡粉末之制造方法;INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER, SPUTTERING TARGET USING SAME, METHOD FOR PRODUCING INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER

摘要

本发明系提供可以延长靶之寿命，又可以得到高密度溅镀靶之氧化铟－氧化锡粉末，及使用该粉末之溅镀靶，以及氧化铟－氧化锡粉末之制造方法。;本发明系以In－Sn氧化物为主成分之氧化铟－氧化锡粉末，其特征为碳含有量在50 ppm以下者。

主权项

1.一种氧化铟-氧化锡粉末，系以In-Sn氧化物为主成分之氧化铟-氧化锡粉末，其特征为锡含有量换算成SnO2为2.3至45质量%，碳含有量在50ppm以下。 ;2.如申请专利范围第1项之氧化铟-氧化锡粉末，其中，以X线绕射未检出间化合物In4 Sn3 O12，而由In2 O3(222)积分绕射强度及SnO2(110)积分绕射强度之比，以及藉由ICP分析之In、Sn之元素浓度求得之In2 O3及SnO2之比计算，In2 O3中之SnO2固溶量为2.3质量%以上。 ;3.如申请专利范围第2项之氧化铟-氧化锡粉末，其中，In2 O3中之SnO2固溶量为2.4质量%以上。 ;4.如申请专利范围第1项之氧化铟-氧化锡粉末，其系藉由将铟-锡合金做成之液流、液滴或粉末，或是ITO粉末供应到氧化性蒙气可存在之热源中，以流体捕获生成之微粒子并加以回收。 ;5.如申请专利范围第4项之氧化铟-氧化锡粉末，其中，前述流体为雾状之液状流体。 ;6.如申请专利范围第4项之氧化铟-氧化锡粉末，其中，以前述流体捕获前述生成之微粒子时，其最大速度为150m/sec以下。 ;7.一种溅镀靶，其系由含有申请专利范围第1至6项中任一项之氧化铟-氧化锡粉末的原料烧结而成者。 ;8.如申请专利范围第7项之溅镀靶，其烧结后之密度为99%以上。 ;9.一种氧化铟-氧化锡粉末之制造方法，其特征系将由In-Sn合金或ITO粉末所成之原料做成液流、液滴或粉末，供应到热源中，藉由雾状之液状流体捕获生成物氧化铟-氧化锡粉末之微粒子，并以气液分离使前述微粒子做为淤泥而回收，而得到锡含有量换算成SnO2为2.3至45质量%且碳含有量为50ppm以下之氧化铟-氧化锡粉末。 ;10.如申请专利范围第9项之氧化铟-氧化锡粉末之制造方法，其中，以前述流状流体捕获前述生成物时之最大速度为150m/sec以下。 ;11.如申请专利范围第9或10项之氧化铟-氧化锡粉末之制造方法，其系将做为淤泥而得之氧化铟-氧化锡粉末自前述液状流体分离，并在1100℃至1300℃预烧者。;第1图系示制造本发明之ITO粉末微粒子用制造装置之一例的概略结构图。;第2图示本发明实施例1之ITO粉末X线绕射结果之图。;第3图示本发明实施例2之ITO粉末X线绕射结果之图。;第4图示本发明实施例3之ITO粉末X线绕射结果之图。;第5图示本发明实施例4之ITO粉末X线绕射结果之图。;第6图示本发明实施例5之ITO粉末X线绕射结果之图。;第7图示本发明比较例1之ITO粉末X线绕射结果之图。;第8图示本发明实施例2之ITO粉末X线绕射结果之图。