薄膜电晶体之制造方法;METHOD OF FABRICATING A THIN FILM TRANSISTOR

摘要

一种薄膜电晶体的制造方法，包括：提供一基板，该基板包括一第一元件区域与一第二元件区域；形成一非晶矽层于该基板上方；形成一保护膜于该第二元件区域内之部份该非晶矽层上方；对该非晶矽层进行一准分子雷射退火制程，以将该非晶矽层转化为一多晶矽层；移除该保护膜；以及图案化该多晶矽层，以在该第一元件区域形成一第一图案化多晶矽层，及在该第二元件区域形成一第二图案化多晶矽层，其中该第一图案化多晶矽层之晶粒尺寸大于该第二图案化多晶矽层，藉此形成一有机电激发光元件。

主权项

1.一种薄膜电晶体的制造方法，包括：提供一基板，该基板包括一含有复数个画素之画素区域，其中每一画素内包括一第一元件区域与一第二元件区域；形成一非晶矽层于该基板上方；形成一保护膜于该第二元件区域内之部份该非晶矽层上方；对该非晶矽层进行一准分子雷射退火制程，以将该非晶矽层转化为一多晶矽层；以及图案化该多晶矽层，以在该第一元件区域形成一第一图案化多晶矽层，及在该第二元件区域形成一第二图案化多晶矽层，其中该第一图案化多晶矽层之晶粒尺寸大于该第二图案化多晶矽层，藉此形成一有机电激发光元件。 ;2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中该保护膜系包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或氧化矽与氮化矽的叠层结构。 ;3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中在该准分子雷射退火制程中，该保护膜用以反射部分雷射能量。 ;4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造方法，更包括：在该图案化该多晶矽层之步骤后，形成一闸极介电层，以覆盖该图案化多晶矽层。 ;5.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中位于该第一元件区域内之第一图案化多晶矽层为一第一主动层，位于该第二元件区域内之第二图案化多晶矽层为一第二主动层。 ;6.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中该第一元件区域内形成一开关薄膜电晶体元件，而该第二元件区域内形成一驱动薄膜电晶体元件。 ;7.如申请专利范围第6项所述之薄膜电晶体的制造方法，更包括：一有机发光二极体，其中该有机发光二极体系与该驱动薄膜电晶体元件形成电性连接。 ;8.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中在准分子雷射退火制程之后移除该保护膜。 ;9.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中在该非晶矽层形成于该基板上方之步骤后立即将该非晶矽层图案化而先形成第一、第二图案化非晶矽层于该第一、第二元件区域上方。 ;10.如申请专利范围第9项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中该保护膜系包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或氧化矽与氮化矽的叠层结构。 ;11.如申请专利范围第9项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中在该准分子雷射退火制程中，该保护膜可以反射部分雷射能量。 ;12.如申请专利范围第9项所述之薄膜电晶体的制造方法，更包括：在该准分子雷射退火制程之后，形成一闸极介电层，覆盖该未被保护膜覆盖之多晶矽层、基板与该保护膜。 ;13.如申请专利范围第9项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中该第一、第二图案化多晶矽层分别为一位于该第一元件区域内之一第一主动层与位于该第二元件区域内之一第二主动层。 ;14.如申请专利范围第9项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中该第一元件区域内形成一开关薄膜电晶体元件，而该第二元件区域内形成一驱动薄膜电晶体元件。 ;15.如申请专利范围第14项所述之薄膜电晶体的制造方法，更包括：一有机发光二极体，其中该有机发光二极体系与该驱动薄膜电晶体元件形成电性连接。;第1图系绘示一主动矩阵式有机电激发光元件中一个画素之等效电路图。;第2a~2f图系绘示本发明一较佳实施例中有机电激发光元件之制造方法的剖面图。;第3a~3f图系绘示本发明另一较佳实施例中有机电激发光元件之制造方法的剖面图。;第4a~4g图系绘示本发明又一较佳实施例中有机电激发光元件之制造方法的剖面图。;第5a~5g图系绘示本发明又一较佳实施例中有机电激发光元件之制造方法的剖面图。;第6图系绘示本发明一较佳实施例中用于显示影像之系统。