发明名称 晶片型固体电解电容器及其制造方法
摘要 本发明系具有,固体电解电容器元件之复数个被水平无间隙地并联载置于,在一对为对向配置之引线框之前端部,跨越于前述复数个电容器元件间之元件彼此之间予以固定之固定层为其特征之被树脂封口之,低等值串联电阻(ESR),漏电流(LC值)少之晶片型固体电解电容器,其制造方法及使用其晶片型固体电解电容器之电子机器。
申请公布号 TWI327328 申请公布日期 2010.07.11
申请号 TW093124216 申请日期 2004.08.12
申请人 昭和电工股份有限公司 SHOWA DENKO KABUSHIKI KAISHA 日本 发明人 内藤一美;田村克俊
分类号 主分类号
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种被树脂封口之晶片型固体电解电容器,其特征为具有,固体电解电容器元件系复数个水平无间隙地并联载置于,在一对为对向配置之引线框之前端部,将跨越于前述复数个电容器元件间之元件彼此之间予以固定之固定层者。 ;2.如申请专利范围第1项之晶片型固体电解电容器,其中,固体电解电容器元件系,阀作用金属或者导电性氧化物之烧结体所成阳极基体或前述烧结体与金属线之连接物所成阳极基体之一端之阳极部以外之表面,依顺序层合电介质氧化皮膜层,半导体层及导电体层,使阴极部形成者,前述阳极部及阴极部被载置成,可接触各引线框前端部之方式。 ;3.如申请专利范围第1项之晶片型固体电解电容器,其中,固定层系,树脂层或导电体层。 ;4.如申请专利范围第2项之晶片型固体电解电容器,其中,阳极部系阳极基体之末端所成。 ;5.如申请专利范围第2项之晶片型固体电解电容器,其中,阳极部系连接于烧结体之金属线或金属箔所成。 ;6.如申请专利范围第5项之晶片型固体电解电容器,其中,金属线系选自钽、铌、铝、钛、该等金属为主成分之合金及该等金属或前述合金之一部份予以氧化及/或氮化者。 ;7.如申请专利范围第2项之晶片型固体电解电容器,其中,阀作用金属或者导电性氧化物系钽、铝、铌、钛、以该等阀作用金属为主成分之合金或氧化铌,或选自前述阀作用金属、合金及导电性氧化物之2种以上之混合物。 ;8.如申请专利范围第7项晶片型固体电解电容器,其中,前述阀作用金属,合金及导电性氧化物系,该等之一部份选自被碳化、磷化、硼化、氮化、硫化之至少一种之处理者。 ;9.如申请专利范围第2项之晶片型固体电解电容器,其中,前述烧结体系,其表面被化学及/或电性蚀刻处理者。 ;10.如申请专利范围第2项之晶片型固体电解电容器,其中,阳极基体之阳极部与阳极部以外之残部之境界部份系由絶縁性树脂所絶縁者。 ;11.如申请专利范围第2项之晶片型固体电解电容器,其中,前述电介质氧化物层系选自,Ta2O5、Al2O3、TiO2及Nb2O5之至少一个为主成分者。 ;12.如申请专利范围第2项之晶片型固体电解电容器,其中,半导体层系选自有机半导体层及无机半导体层之至少一种。 ;13.如申请专利范围第12项晶片型固体电解电容器,其中有机半导体系选自,苯并吡咯啉四聚物与氯醌所成有机半导体、四硫代四为主成分之有机半导体、四氰醌二甲烷(tetracyanoquinod imethane)为主成分之有机半导体、以含有下述一般式(1)或(2)(式(1)及(2)中,R 1 ~R 4 为各自独立之,氢原子、碳原子数1~6之烷基或碳原子数1~6之烷氧基,X为氧、硫或氮原子,R 5 系表示X仅为氮原子时方存在之氢原子或碳原子数1~6之烷基,R 1 与R 2 及R 3 与R 4 系可互相键结形成环状)所示重覆单元之高分子中掺杂有掺杂剂之导电性高分子为主成分之有机半导体,之至少一种者。 ;14.如申请专利范围第13项之晶片型固体电解电容器,其中,含有一般式(1)所示重覆单元之导电性高分子系含有,下述一般式(3)(式中,R 6 及R 7 系各自独立之氢原子、碳原子数1~6之直链状或分支链状之饱和或不饱和烷基、或该烷基系相互在任意位置键结,可形成含二个氧原子之至少一个以上之5~7圆环之饱和羟之环状构造之取代基,又,在前述环状构造具有可被取代之亚乙烯键者,亦含可被取代之亚苯基构造者),所示构造单元作为重覆单元之导电性高分子。 ;15.如申请专利范围第13项之晶片型固体电解电容器,其中,导电性高分子系选自聚苯胺、聚环氧亚苯、聚亚苯基硫化物、聚噻吩、聚呋喃、聚吡咯、聚甲基吡咯、及该等之取代衍生物或共聚物。 ;16.如申请专利范围第15项之晶片型固体电解电容器,其中,导电性高分子系,聚(3,4-乙二氧撑噻吩)。 ;17.如申请专利范围第12项之晶片型固体电解电容器,其中,无机半导体系选自二氧化钼、二氧化钨、二氧化铅、及二氧化锰之至少一种之化合物。 ;18.如申请专利范围第2项之晶片型固体电解电容器,其中,半导体之电导度在10 -2 ~10 3 S/cm之范围。 ;19.一种晶片型固体电解电容器之制造方法,其特征为,阀作用金属或者导电性氧化物之烧结体所成阳极基体或前述烧结体与金属线之连接物所成阳极基体之一端之阳极部以外的之表面,依顺序层合电介质氧化皮膜层,半导体层及导电体层以形成阴极部之固体电解电容器元件之复数个予以水平无间隙地并联载置于,在一对为对向配置之引线框之前端部,使得前述阳极部及阴极部可以接触引线框方式,并予以接合后,将跨越前述复数个电容器元件间之元件彼此之间予以固定之固定层进行层合,使引线框之外部端子部残留予以树脂封口者。 ;20.一种电子电路,其系使用如申请专利范围第项1~18中任一项之晶片型固体电解电容器。 ;21.一种电子机器,其系使用如申请专利范围第项1~18中任一项之晶片型固体电解电容器。;第1图系表示,将具有阳极导线(阳极部)之固体电解电容器元件载置于3个并联成水平无间隙之引线框前端部之状态之晶片型固体电解电容器之斜视图。;第2图系表示,在烧结体本身将具有阳极部之固体电解电容器元件载置于3个并联成水平无间隙之引线框前端部之状态之晶片型固体电解电容器之斜视图。;第3图系表示,载置于引线框前端部之固体电解电容器元件之习知例之晶片型固体电解电容器之斜视图。
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