发明名称 PROCEDE DE SOLIDIFICATION DE SEMI-CONDUCTEUR AVEC AJOUT DE CHARGES DE SEMI-CONDUCTEUR DOPE AU COURS DE LA CRISTALLISATION
摘要 <p>Procédé de solidification de semi-conducteur, comportant les étapes de : - former un bain de semi-conducteur fondu (103) à partir d'une première charge de semi-conducteur comportant des dopants, - solidifier le semi-conducteur fondu, et comportant en outre, au cours de la solidification, la mise en oeuvre d'une ou plusieurs étapes d'ajout de charges supplémentaires (120) du semi-conducteur, comportant également des dopants, au bain de semi-conducteur fondu.</p>
申请公布号 FR2940806(A1) 申请公布日期 2010.07.09
申请号 FR20090050016 申请日期 2009.01.05
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 发明人 SERVANT FLORENCE;CAMEL DENIS
分类号 C30B11/04;C30B15/04;C30B13/10;C30B29/06 主分类号 C30B11/04
代理机构 代理人
主权项
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