Lokale Silizidierung an Kontaktlochunterseiten in Metallisierungssystemen von Halbleiterbauelementen

摘要

Das Elektromigrationsverhalten in komplexen Metallisierungssystemen von Halbleiterbauelementen wird in kritischen Bereichen zwischen einer Metallleitung und einer Kontaktdurchführung verbessert, indem lokal eine Kupfer/Silizium-Verbindung gebildet wird. In einigen anschaulichen Ausführungsformen ist das Erzeugen der Kupfer/Silizium-Verbindung mit anderen Behandlungen zum Reinigen der freiliegenden Oberflächenbereiche und/oder zur Modifizierung der Molekularstruktur kombiniert.