发明名称 |
Metallisierungssystem eines Halbleiterbauelements mit zusätzlich verjüngten Übergangskontakten |
摘要 |
In einem Metallisierungssystem eines Halbleiterbauelements wird eine Übergangskontaktdurchführung mit einem größeren Grade an Verjüngung vorgesehen, indem eine entsprechende Ätzsequenz modifiziert wird. Beispielsweise wird die Lackmaske zur Herstellung der Kontaktöffnung einmal oder mehrere Male erodiert, um damit die laterale Größe der entsprechenden Maskenöffnung zu vergrößern. Auf Grund des ausgeprägten Grades an Verjüngung werden bessere Abscheidebedingungen während des nachfolgenden elektrochemischen Abscheideprozesses zum gemeinsamen Füllen der Kontaktöffnung und eines breiten damit verbundenen Grabens geschaffen.
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申请公布号 |
DE102008063430(A1) |
申请公布日期 |
2010.07.08 |
申请号 |
DE20081063430 |
申请日期 |
2008.12.31 |
申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES INC.;AMD FAB 36 LIMITED LIABILITY COMPANY & CO. KG |
发明人 |
FEUSTEL, FRANK;WERNER, THOMAS;FROHBERG, KAI |
分类号 |
H01L21/768;H01L23/528 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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