发明名称 DIELECTRIC LAYERS AND MEMORY CELLS INCLUDING METAL-DOPED ALUMINA
摘要 A method of forming (and an apparatus for forming) a metal-doped aluminum oxide layer on a substrate, particularly a semiconductor substrate or substrate assembly, using a vapor deposition process.
申请公布号 US2010171089(A1) 申请公布日期 2010.07.08
申请号 US20100725753 申请日期 2010.03.17
申请人 MICRON TECHNOLOGY, INC. 发明人 VAARTSTRA BRIAN A.
分类号 H01L45/00;C23C16/40;H01L21/3115;H01L21/316;H01L21/8244;H01L29/92 主分类号 H01L45/00
代理机构 代理人
主权项
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