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Es wird ein Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumnitrid in zwei Stufen beschrieben, wobei man a) hochreines Silicium mit Stickstoff in einem Drehrohrofen mit einer ersten Temperaturzone von 1150 bis 1250°C und mindestens einer weiteren Temperaturzone von 1250 bis 1350°C in Gegenwart eines Gasgemisches, bestehend aus Argon und Wasserstoff, bis zu einem Stickstoffgehalt von 10 bis 30 Gew.-% umsetzt und b) das teilazotierte Produkt aus Stufe a) in einem Kammer- oder Setzofen im Ruhebett bei 1100 bis 1450°C mit einem Gemisch aus Stickstoff, Argon und ggf. Wasserstoff bis zur Beendigung der Stickstoff-Aufnahme reagieren lässt. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es möglich, hochreines Siliciumnitrid mit einer Reinheit von > 99,9 in technisch einfacher Weise herzustellen, wobei keinerlei weitere Reinigungsschritte, wie z.rlich ist.
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