Transistor mit einem eingebetteten verformungsinduzierenden Material mit einer graduell geformten Gestaltung

摘要

In einem Transistor wird eine verformungsinduzierende Halbleiterlegierung, etwa in Form von Silizium/Germanium, Silizium/Kohlenstoff und dergleichen, sehr nahe an dem Kanalgebiet angeordnet, in dem graduell geformte Aussparungen geschaffen werden, die dann mit der verformungsreduzierenden Halbleiterlegierung gefüllt werden. Zu diesem Zweck werden zwei oder mehr "zu entfernende" Abstandshalterelemente mit unterschiedlichem Ätzverhalten eingesetzt, um unterschiedliche laterale Abstände an unterschiedlichen Tiefen der jeweiligen Aussparungen zu erzeugen. Folglich kann eine bessere Gleichmäßigkeit und damit eine geringere Transistorvariabilität selbst für sehr aufwendige Halbleiterbauelemente erreicht werden.