Transistor mit einer eingebetteten Halbleiterlegierung mit einer asymmetrischen Anordnung

摘要

In komplexen Halbleiterbauelementen wird eine asymmetrische Transistorstruktur auf der Grundlage einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung erreicht. Zu diesem Zweck werden Verformungsrelaxationsimplantationsprozesse auf der Drainseite gemäß einiger anschaulicher Ausführungsformen ausgeführt, während in anderen Fällen das Abscheiden der verformungsinduzierenden Legierung in einer asymmetrischen Weise in Bezug auf die Drainseite und die Sourceseite des Transistors durchgeführt wird.