| 发明名称 | 在半导体器件中进行失效分析的方法 | ||
| 摘要 | 一种在半导体器件中进行失效分析的方法，包括：提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括晶片和封装覆层；在封装覆层的一侧形成暴露晶片正面的开口；在暴露的晶片正面进行失效分析；填充所述开口；在封装覆层的另一侧进行研磨直至暴露晶片背面；在暴露的晶片背面进行失效分析。与现有技术相比，本发明采用先在晶片正面开口，后在晶片背面研磨的方法，实现在晶片的正背面分别进行一次失效分析，提高了失效分析的准确性，增强了失效分析的效果，改善了晶片的利用率。 | ||
| 申请公布号 | CN101769876A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200810208185.X | 申请日期 | 2008.12.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈强;郭志蓉;周晶 |
| 分类号 | G01N21/88(2006.01)I;G01N13/10(2006.01)I;G01R31/303(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/88(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种在半导体器件中进行失效分析的方法，包括：提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括晶片和封装覆层；在封装覆层的一侧形成暴露晶片正面的开口；在暴露的晶片正面进行失效分析；填充所述开口；在封装覆层的另一侧进行研磨直至暴露晶片背面；在暴露的晶片背面进行失效分析。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||