| 发明名称 | 使用单一掩模形成图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种使用单一掩模形成图案的方法，包括：设置具有已定义图案的光掩模，并通过控制曝光设备的焦距至聚焦位置来执行曝光工艺而在晶片上形成与所述光掩模具有相同形状的图案；及使用该相同光掩模，通过控制曝光设备的焦距至散焦位置，执行曝光工艺，从而在晶片上相对于该图案形成具有反转图像的反图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101150048B | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200710154787.7 | 申请日期 | 2007.09.19 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 梁铉祚 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云;许向华 |
| 主权项 | 一种使用单一掩模形成图案的方法，包括：在曝光设备的晶片阶台上设置晶片；测量曝光期间发生所述图案的图像反转的聚焦范围，同时改变所述曝光设备的聚焦位置以控制所述曝光设备的焦距；设置具有已定义图案的光掩模，并通过控制曝光设备的焦距至聚焦位置来执行第一曝光工艺而在晶片上形成与所述光掩模具有相同形状的图案；及使用该相同光掩模，通过控制曝光设备的焦距至散焦位置，执行第二曝光工艺，在晶片上相对于该图案形成具有反转图像的反图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||