| 发明名称 | 钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于快闪存储器的钨钛合金纳米晶浮栅结构，属于微电子技术领域。该结构包括硅衬底，以及在所述硅衬底上依次覆盖的氧化硅层、高介电常数薄膜、钨钛合金纳米晶电荷存储层、阻挡层以及栅材料层。本发明的结构提高了浮栅结构的非挥发性存储单元的编程/擦除效率、编程/擦除(P/E)速度、有效电荷存储能力、数据保持特性、编程/擦除耐受性等存储性能。本发明同时公开了一种制作钨钛合金纳米晶浮栅结构的方法。本发明的方法简便，并兼容于传统CMOS硅平面工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101494237B | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200910078478.5 | 申请日期 | 2009.02.24 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;杨仕谦;王琴;龙世兵 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 一种钨钛合金纳米晶浮栅结构，其特征在于，所述结构包括硅衬底，以及在所述硅衬底上依次覆盖的氧化硅层、高介电常数薄膜、钨钛合金纳米晶电荷存储层、阻挡层以及栅材料层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||