半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件及其制造方法。其中，通过外延生长方法在沟槽中形成P型第一SiGe混晶层以及形成P型第二SiGe混晶层。在所述第二SiGe混晶层上，形成P型第三SiGe混晶层。从该沟槽的底部至所述第一SiGe混晶层的最上表面的高度小于以硅衬底表面为基准的情况下的沟槽的深度。从该沟槽的底部至所述第二SiGe混晶层的最上表面的高度大于以硅衬底表面为基准的情况下的沟槽的深度。所述第一和第三SiGe混晶层中的Ge浓度低于所述第二SiGe混晶层中的Ge浓度。

主权项

一种半导体器件，包括：硅衬底；栅极绝缘膜，其形成在所述硅衬底上；栅极，其形成在所述栅极绝缘膜上；第一导电类型的两个杂质扩散层，形成在所述硅衬底的表面中，其中在俯视图中所述两个杂质扩散层将所述栅极夹在中间，并且所述两个杂质扩散层中的每个杂质扩散层具有形成于其表面中的沟槽；以及第一导电类型的两个半导体层，其中所述两个半导体层分别从形成于所述两个杂质扩散层的表面中的沟槽的底部外延生长，其中位于所述栅极绝缘膜直接下方的硅衬底区的导电类型为第二导电类型，以及所述两个半导体层中的每个半导体层包括：第一区，其包括与所述硅衬底和所述栅极绝缘膜之间的界面位于同一平面的部分，以及位于比该界面的所述同一平面更低处的部分；以及第二区，其位于与所述第一区相比更接近所述沟槽的底侧的位置，其中所述第二区的晶格常数与所述第一区的晶格常数相比更接近硅的晶格常数。