半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件1包括绝缘中间层10、互连部分12a到12c、绝缘中间层20以及电容器元件30。在绝缘中间层10和互连部分12a到12d上，经由扩散阻挡层40提供绝缘中间层20。在绝缘中间层20上提供电容器元件30。电容器元件30是MIM型电容器元件，并且包括位于绝缘中间层20上的下部电极32、位于下部电极32上的电容器绝缘层34、以及位于电容器绝缘层34上的上部电极36。在绝缘中间层20和电容器元件30之间的分界面S1大体上是平的。绝缘中间层20的下表面S2在与电容器绝缘层34对应的位置处包括不平坦部分。

主权项

一种半导体器件，包括：设置在半导体基片上的第一绝缘层；埋入所述第一绝缘层中的导体；设置在所述第一绝缘层和所述导体上的第二绝缘层；设置在所述第二绝缘层上的下部电极；设置在与至少一部分所述导体相对的所述下部电极上的区域中的电容器绝缘层；和设置在所述电容器绝缘层上的上部电极；其中，所述第二绝缘层和所述下部电极之间的分界面大体上是平整的；在所述第二绝缘层的所述第一绝缘层和所述导体一侧的表面上，在与所述电容器绝缘层相对的位置处包括不平坦部分；以及在平面图中所述下部电极、所述电容器绝缘层和所述上部电极重叠的区域与所述导体和所述第一绝缘层之间的边界重叠。