一种双孔分布氧化硅的合成方法

摘要

一种双孔分布氧化硅的合成方法，包括将水、硅源和模板剂混合，调节其pH值为4～12，于40～120℃老化0.5～4天，然后过滤、洗涤、干燥、焙烧；所述模板剂为糖和表面活性剂的混合物，模板剂中糖和表面活性剂的质量比为0.5～2，硅和水的摩尔比为1∶30～1∶200，硅与模板剂的摩尔比为1∶0.005～2。本发明提供的双孔分布氧化硅，孔径较小的孔的可几孔径为2～10nm，孔径较大的孔的可几孔径为10～25nm，比表面积为400～750m2/g，孔容为0.8～1.5cm3/g。本发明提供的双孔分布氧化硅可用作吸附剂、催化剂或作为吸附剂、催化剂的载体。

主权项

一种双孔分布氧化硅的合成方法，包括如下步骤：(1)将硅源和模板剂加入到水中，搅拌；其中，所述模板剂为糖和表面活性剂的混合物，所述硅源选自能溶于水的硅酸盐、能水解的有机硅化合物和硅溶胶中的一种或几种；所述表面活性剂为阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂中的一种的或几种；硅和水的摩尔比为1∶30～1∶200，硅与模板剂的摩尔比为1∶0.005～1∶2；模版剂中糖和离子表面活性剂的质量比为0.5∶1～2∶1；(2)调节步骤(1)得到的混合物的pH值为4～12，搅拌0.5～6h，得到先驱体溶胶；(3)将步骤(2)得到的先驱体溶胶于40～120℃老化0.5～4天；(4)将步骤(3)得到的老化后的先驱体溶胶过滤和洗涤，然后干燥得到先驱体粉末；(5)将步骤(4)得到的先驱体粉末焙烧，得到双孔氧化硅。