全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种采用透明低电阻率ZnO作栅和源、漏电极的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，它涉及到微电子技术领域，主要解决现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管不能应用于全透明领域，及现有全透明晶体管特性差的问题。该器件按生长顺序依次包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al0.3Ga0.7N层、GaN帽层和源、漏、栅电极，其中源、漏电极和栅电极均采用掺杂Al2O3的透明ZnO材料，衬底采用透明的双面抛光蓝宝石。源、漏、栅电极在GaN帽层上通过磁控溅射的方法淀积，源区和漏区域进行Si+离子注入，以辅助源区和漏区欧姆接触的形成。本发明具有全透明，高特性的优点，可用于透明领域的抗辐照电路中的电子元件。

主权项

一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，依次包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、本征GaN层、Al0.3Ga0.7N层和GaN帽层，帽层上设有源电极、漏电极和栅电极，其特征在于源电极、漏电极和栅电极均采用透明的ZnO材料，蓝宝石衬底采用透明双面抛光蓝宝石，以实现器件全透明。