发明名称 线内真空处理设备及控制方法以及信息记录介质制造方法
摘要 本发明涉及线内真空处理设备及其控制方法,以及信息记录介质制造方法。该线内真空处理设备,包括沉积单元、工艺执行单元、确定单元以及控制单元。沉积单元使第一沉积腔室和第二沉积腔室中的一个沉积腔室执行沉积工艺。工艺执行单元使另一沉积腔室执行对于沉积工艺必要的工艺。确定单元测量一个沉积腔室中处理的基板的数目,并确定是否该第一批次中所包括的所有基板都已经受所述沉积工艺。控制单元基于来自所述确定单元的确定结果切换要在所述第一沉积腔室和第二沉积腔室每一个中执行的工艺。
申请公布号 CN101768732A 申请公布日期 2010.07.07
申请号 CN200910262659.3 申请日期 2009.12.25
申请人 佳能安内华股份有限公司 发明人 川田真弘
分类号 C23C16/50(2006.01)I;G11B5/84(2006.01)I 主分类号 C23C16/50(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 刘倜
主权项 一种包括第一沉积腔室和第二沉积腔室的线内真空处理设备,其包括:沉积单元,其被配置来使所述第一沉积腔室和所述第二沉积腔室中的一个沉积腔室执行沉积工艺,以便在同一沉积腔室中对第一批次中所包括的一组多个基板进行所述沉积工艺;工艺执行单元,其被配置来使其中未在进行所述沉积工艺的另一沉积腔室在所述的一个沉积腔室在执行所述沉积工艺的同时执行对于所述沉积工艺必要的工艺;确定单元,其被配置来测量所述的一个沉积腔室中处理的基板的数目,并确定是否该第一批次中所包括的所有基板都已经受所述沉积工艺;以及控制单元,其被配置来基于来自所述确定单元的确定结果切换要在所述第一沉积腔室和所述第二沉积腔室每一个中执行的工艺,以便使所述另一沉积腔室执行所述沉积工艺而使所述的一个沉积腔室执行所述对于所述沉积工艺必要的工艺。
地址 日本神奈川