| 发明名称 | 半导体存储单元及其制造方法和操作方法 | ||
| 摘要 | 一种操作方法可包括通过向共用源极和/或N阱区提供预设编程电压、将控制栅极接地和/或浮置、和/或将字线和/或位线接地，对半导体存储单元进行编程。一种操作方法可包括通过将字线浮置和/或接地、向控制栅极提供预设擦除电压、和/或将N阱、位线和/或共用源极接地，对半导体存储单元进行擦除。一种操作方法可包括通过将控制栅极接地和/或浮置、向N阱和/或共用源极提供预设读取电压、将字线接地、和/或向位线提供预设漏极电压，对半导体存储单元进行读取。 | ||
| 申请公布号 | CN101770990A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200910265288.4 | 申请日期 | 2009.12.30 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 郑真孝 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;邢雪红 |
| 主权项 | 一种方法，包括以下步骤：制备包括N阱区的半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成浮置栅极多晶硅；在所述浮置栅极多晶硅上方形成触点；以及在所述触点与所述浮置栅极多晶硅之间形成电介质。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||