| 发明名称 | 无死区时间的功率放大器输出级电路 | ||
| 摘要 | 无死区时间的功率放大器输出级电路，涉及电子技术。本发明包括串联的第一功率管(1)和第二功率管(2)，以及分别连接到两个功率管控制端的第一驱动电路(10)和第二驱动电路(20)，Q点为输出端，第一驱动电路(10)包括串联的第一驱动管(11)和第二驱动管(12)；第二驱动电路(20)包括串联的第三驱动管(21)和第四驱动管(22)。本发明可以去除此失真，减小系统的总谐波失真。 | ||
| 申请公布号 | CN101771384A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200910265078.5 | 申请日期 | 2009.12.31 |
| 申请人 | 成都成电硅海科技股份有限公司 | 发明人 | 李文昌;于廷江;黄国辉;向本才 |
| 分类号 | H03F1/32(2006.01)I;H03F3/26(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人 | 刘勋 |
| 主权项 | 无死区时间的功率放大器输出级电路，包括串联的第一功率管(1)和第二功率管(2)，以及分别连接到两个功率管控制端的第一驱动电路(10)和第二驱动电路(20)，Q点为输出端，其特征在于：第一驱动电路(10)包括串联的第一驱动管(11)和第二驱动管(12)，电压为Vboost的第一辅助电源通过第一驱动管(11)和第二驱动管(12)接Q点，第一驱动管(11)和第二驱动管12的连接点接第一功率管(1)的栅极，第一功率管(1)的输入端接高电平，输出端接Q点；第二驱动电路(20)包括串联的第三驱动管(21)和第四驱动管(22)，电压为Vdd的第二辅助电源通过第三驱动管(21)和第四驱动管(22)接地，第三驱动管(21)和第四驱动管(22)的连接点接第二功率管(2)的栅极，第二功率管(2)的输出端接地，输入端接Q点；其中，第一功率管(1)和第二功率管(2)的寄生电容相同；阈值电压也相同，为Vth，第一驱动管11的导通电阻为Ron11，第二驱动管(12)的导通电阻为Ron12，第三驱动管21的导通电阻为Ron21，第四驱动管(22)的导通电阻为Ron22，各项参数满足下列两式： <mrow> <mfrac> <msub> <mi>R</mi> <mrow> <mi>on</mi> <mn>12</mn> </mrow> </msub> <mrow> <msub> <mi>R</mi> <mrow> <mi>on</mi> <mn>12</mn> </mrow> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>R</mi> <mrow> <mi>on</mi> <mn>21</mn> </mrow> </msub> </mrow> </mfrac> <mo>=</mo> <mfrac> <msub> <mi>V</mi> <mi>th</mi> </msub> <mi>Vboost</mi> </mfrac> </mrow> <mrow> <mfrac> <msub> <mi>R</mi> <mrow> <mi>on</mi> <mn>22</mn> </mrow> </msub> <mrow> <msub> <mi>R</mi> <mrow> <mi>on</mi> <mn>11</mn> </mrow> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>R</mi> <mrow> <mi>on</mi> <mn>22</mn> </mrow> </msub> </mrow> </mfrac> <mo>=</mo> <mfrac> <msub> <mi>V</mi> <mi>th</mi> </msub> <mi>Vdd</mi> </mfrac> <mo>.</mo> </mrow> | ||
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