硅基薄膜光电转换装置、及其制造方法和制造设备

摘要

公开了一种硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其特征在于：通过在同一等离子体CVD膜沉积室中，在形成于基板(1)上的透明导电膜(2)上顺序地形成第一p型半导体层(11)、i型非晶硅基光电转换层(12)、第一n型半导体层(13)、第二p型半导体层(21)、i型微晶硅基光电转换层(22)、和第二n型半导体层(23)而形成双pin结构堆叠体(30)，所述第一p型半导体层(11)、所述i型非晶硅基光电转换层(12)、和所述第一n型半导体层(13)在200-3000Pa的等离子体CVD膜沉积室中的膜形成压力和0.01-0.3W/cm2的单位电极面积的功率密度下形成。通过该方法，可以使用简化的生产设备以低成本和高效率制造具有好质量和高光电转换效率的硅基薄膜光电转换装置。

主权项

一种堆叠型硅基薄膜光电转换装置(100)，包括：形成于基板(1)上的透明导电膜(2)；和双pin结构堆叠体(30)；所述双pin结构堆叠体(30)由顺序形成于所述透明导电膜(2)上的第一p型半导体层(11)、i型非晶硅基光电转换层(12)、第一n型半导体层(13)、第二p型半导体层(21)、i型微晶硅基光电转换层(22)、和第二n型半导体层(23)形成，并且各所述第一n型半导体层(13)和所述第二p型半导体层(21)具有不高于1×1019cm-3的杂质氮原子浓度和不高于1×1020cm-3的杂质氧原子浓度。