抗蚀剂下层组合物及利用其制造半导体集成电路装置的方法

摘要

本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3～5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物；以及溶剂。[化学式1][R1]3Si-[Ph1]1-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]m-Ph2[化学式3][R1]3Si-CH2n-R3[化学式4][R1]3Si-R4[化学式5][R1]3Si-X-Si[R2]3在以上化学式1～5中，Ph1、Ph2、R1～R4、X、l、m和n与说明书中的定义相同。

主权项

一种抗蚀剂下层组合物，包括：从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3～5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物；以及溶剂，[化学式1][R1]3Si-[Ph1]l-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]m-Ph2[化学式3][R1]3Si-CH2n-R3[化学式4][R1]3Si-R4[化学式5][R1]3Si-X-Si[R2]3其中在化学式1～5中，Ph1是取代或未取代的亚苯基，Ph2是取代或未取代的苯基，R1和R2相同或不同地是卤素、羟基、烷氧基、羧基、酯基、氰基、卤代烷基亚硫酸酯基团、烷基胺基团、烷基硅烷基胺基团或烷基硅烷基氧基团，R3是取代或未取代的C6～C12芳基，R4是氢或C1～C6烷基，X是直链或支链的取代或未取代亚烷基；或在其主链上包括亚烯基、亚炔基、杂环基、脲基或异氰酸酯基的亚烷基，l和m相同或不同地是1～4的整数，并且n为0或1～5的整数。