| 发明名称 | 微机电系统装置及其互连 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种微机电系统(MEMS)装置，其包含衬底(20)、阵列区域(阵列)及外围区域(互连)。所述阵列区域(阵列)包含下部电极(16A、16B)、可移动上部电极(14)及所述下部电极(16A、16B)与所述上部电极(14)之间的空腔(19)。所述外围区域(互连)包含形成所述阵列区域(阵列)中的所述上部电极(14)的层的一部分及电互连(58)。所述电互连(58)包含电连接到所述下部电极(16A、16B)及所述上部电极(14)中的至少一者的导电材料(50)。所述电互连(58)由与形成所述阵列区域(阵列)中的所述上部电极(14)的所述层分离且处于所述层以下的层形成。所述导电材料(50)选自由镍、铬、铜及银组成的群组。 | ||
| 申请公布号 | CN101772467A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200880101957.8 | 申请日期 | 2008.07.29 |
| 申请人 | 高通MEMS科技公司 | 发明人 | 笹川照夫 |
| 分类号 | B81B7/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 一种微机电系统(MEMS)装置，其包括：衬底；所述衬底上的阵列区域，所述阵列区域包括：下部电极；可移动上部电极；以及所述下部电极与所述上部电极之间的空腔；以及所述衬底上的外围区域，所述外围区域包括：形成所述阵列区域中的所述上部电极的层的一部分；以及电互连，其包括电连接到所述下部电极与所述上部电极中的至少一者的导电材料，其中所述导电材料由与形成所述阵列区域中的所述上部电极的所述层分离且处于所述层以下的层形成，所述导电材料选自由镍、铬、铜及银组成的群组。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||