全差分放大器

摘要

一种全差分放大器，包括两个正半导体金属氧化物NMOS管、两个负半导体金属氧化物PMOS管、三个电流源和一个电压源；第一NMOS管的漏极与第二电流源的输出端连接，源极与第一电流源的输入端连接；第二NMOS管的漏极与第三电流源的输出端连接，源极与第一电流源的输入端相连；第一PMOS管的栅极与第一NMOS管的漏极连接，源极与所述电压源连接，漏极与第一电流源的输入端连接；第二PMOS管的栅极与第二NMOS管的漏极连接，源极与电压源连接，漏极与第一电流源的输入端连接；第一电流源的输出端接地；第二电流源的输入端及第三电流源的输入端均与电压源连接。本实用新型与现有技术相比，电路结构简单，节省了集成电路面积。

主权项

一种全差分放大器，其特征在于，包括第一正半导体金属氧化物NMOS管、第二NMOS管、第一负半导体金属氧化物PMOS管、第二PMOS管、第一电流源、第二电流源、第三电流源、电压源，其中，所述第一NMOS管的漏极与所述第二电流源的输出端连接，源极与所述第一电流源的输入端连接；所述第二NMOS管的漏极与所述第三电流源的输出端连接，源极与所述第一电流源的输入端相连；所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的漏极连接，源极与所述电压源连接，漏极与所述第一电流源的输入端连接；所述第二PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极连接，源极与所述电压源连接，漏极与所述第一电流源的输入端连接；所述第一电流源的输出端接地；所述第二电流源的输入端及所述第三电流源的输入端均与所述电压源连接。