具有鞍鳍晶体管的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及具有鞍鳍结构的半导体器件及其制造方法。一种制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底的单元区域上形成暴露隔离区的垫氮化物层；在半导体衬底的隔离区中形成沟槽；在沟槽内形成隔离层；蚀刻半导体衬底的有源区至一定深度以形成凹陷有源区；蚀刻隔离层至一定深度以形成凹陷隔离区；在凹陷有源区和凹陷隔离区中沉积栅极金属层以形成单元晶体管的栅极；在栅极上部上形成绝缘层；移除垫氮化物层以暴露待形成接触塞的半导体衬底的区域；和在该区域的半导体衬底中沉积导电层以形成接触塞。

主权项

一种具有鞍鳍晶体管的半导体器件，包括：在半导体衬底的有源区中的具有选定深度的沟槽；包围所述有源区并具有在所述有源区中形成鞍型鳍结构的凹陷隔离区的隔离层；在所述沟槽和所述凹陷隔离区中掩埋的单元晶体管的鞍鳍栅极；在所述鞍鳍栅极上的绝缘层，所述绝缘层暴露出所述半导体衬底的部分区域；和在由所述绝缘层暴露的区域中的接触塞。