| 发明名称 | 一种高压半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种高压半导体器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有的具有降场层结构的横向高压DMOS器件结构基础上，在场氧化层(7)和第一导电类型半导体降场层(3)之间增加了一层第二导电类型半导体外延层(5)，同时在第一导电类型半导体体区(6)和第一导电类型半导体衬底(1)之间增加了一层第一导电类型半导体埋层体区(4)。本发明通过外延工艺增加第二导电类型半导体外延层(5)、为器件提供了一个额外的表面导电通道，与常规具有降场层的高压半导体器件相比，本发明提供的高压半导体器件在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻(或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积)。本发明可用于消费电子、显示驱动等产品中。 | ||
| 申请公布号 | CN101771085A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN201010028147.3 | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 乔明;段双亮;蒋苓利;傅达平;罗波;张波 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人 | 葛启函 |
| 主权项 | 一种高压半导体器件，包括第一导电类型半导体衬底(1)、第二导电类型半导体漂移区(2)、第一导电类型半导体降场层(3)、第一导电类型半导体体区(6)、场氧化层(7)、栅氧化层(8)、栅极(9)、第二导电类型半导体漏区或第一导电类型半导体阳极区(10)、第二导电类型半导体源区或第二导电类型半导体阴极区(11)、第一导电类型半导体体接触区(12)、金属前介质(13)、源极金属或阴极金属(14)、漏极金属或阳极金属(15)；其特征在于，所述高压半导体器件还包括第一导电类型半导体埋层体区(4)和第二导电类型半导体外延层(5)，所述第二导电类型半导体外延层(5)位于场氧化层(7)和第一导电类型半导体降场层(3)之间；所述第一导电类型半导体埋层体区(4)位于第一导电类型半导体体区(6)和第一导电类型半导体衬底(1)之间。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 | ||