发明名称 |
用于控制内部中断电阻的装置 |
摘要 |
本发明提供一种内部中断电阻(ODT)控制装置,该装置包括:延时区块,其用于缓冲ODT控制信号,以通过基于第一延时信息,选择多个中间控制信号中的一个来输出延时控制信号,该多个中间控制信号通过依同步于内部时钟的方式相继地延迟该缓冲的ODT控制信号而产生;使能信号产生区块,其用于响应于该延时控制信号而比较第一控制信号与第二控制信号,由此基于该比较结果产生ODT使能信号;及ODT区块,其用于基于该ODT使能信号控制终端阻抗。 |
申请公布号 |
CN1941197B |
申请公布日期 |
2010.07.07 |
申请号 |
CN200610131721.1 |
申请日期 |
2006.09.29 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
金敬勋 |
分类号 |
G11C11/4096(2006.01)I;G11C11/4093(2006.01)I;G11C11/4076(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/4096(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
吕晓章;李晓舒 |
主权项 |
一种内部中断电阻(ODT)控制装置,其包含:延时区块,其用于缓冲ODT控制信号,以通过基于第一延时信息选择多个中间控制信号中的一个来输出延时控制信号,所述第一延时信息用于界定在读取或写入操作期间自加载读取指令或写入指令的时点至辨识其的时点所需的时钟数,其中该多个中间控制信号通过以同步于内部时钟的方式相继地延迟该经缓冲的ODT控制信号而产生;使能信号产生区块,其用于响应于该延时控制信号而比较第一控制信号与第二控制信号,由此基于该比较结果产生ODT使能信号;及ODT区块,其用于基于该ODT使能信号控制终端阻抗。 |
地址 |
韩国京畿道 |