发明名称 像素结构
摘要 本发明提供了一种像素结构,包括主动元件、上像素电极与下像素电极。上像素电极电连接主动元件,并具有第一交叉电极以及多个上配向狭缝组,上配向狭缝组位于第一交叉电极所划分出的区域,且上配向狭缝组定义出多个配向区域。上像素电极以及下像素电极之间形成V型主狭缝,V型主狭缝具有尖端以及与尖端连接的两支部,尖端朝向下像素电极,而下像素电极具有第二交叉电极以及多个下配向狭缝组,且下配向狭缝组定义出多个配向区域。其中,邻接各支部的其中一上配向狭缝组与所邻接的支部平行,而邻接各支部的其中一下配向狭缝组与所邻接的支部平行。
申请公布号 CN101770117A 申请公布日期 2010.07.07
申请号 CN201010115391.3 申请日期 2010.02.05
申请人 深超光电(深圳)有限公司 发明人 柳智忠;李得俊;曾迎祥
分类号 G02F1/1337(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I 主分类号 G02F1/1337(2006.01)I
代理机构 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人 丁建春;陈华
主权项 一种像素结构,其特征在于,该像素结构包括:一第一主动元件;一上像素电极,电连接该第一主动元件,并具有一第一交叉电极以及多个上配向狭缝组,该多个上配向狭缝组位于该第一交叉电极所划分出的区域,且该多个上配向狭缝组定义出多个配向区域;以及一下像素电极,该上像素电极以及该下像素电极之间形成一V型主狭缝,该V型主狭缝具有一尖端以及与该尖端连接的两支部,该尖端朝向该下像素电极,而该下像素电极具有一第二交叉电极以及多个下配向狭缝组,该多个下配向狭缝组位于该第二交叉电极所划分出的区域,且该多个下配向狭缝组定义出多个配向区域,其中,邻接各该支部的其中一该上配向狭缝组与所邻接的该支部平行,而邻接各该支部的其中一该下配向狭缝组与所邻接的该支部平行。
地址 518100广东省深圳市宝安区龙华街道办民清路北深超光电科技园A栋首层