| 发明名称 | 制造电阻式存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造电阻式存储器件的方法，其包括在衬底之上形成包括金属氮化物层的下部电极、通过使所述金属氮化物层的一部分氧化而形成用作可变电阻材料的金属氧化物层、以及在所述金属氧化物层上形成上部电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101771131A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200910205815.2 | 申请日期 | 2009.10.14 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 成敏圭 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种制造电阻式存储器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成包括金属氮化物层的下部电极；通过使部分所述金属氮化物层氧化而形成用作可变电阻材料的金属氧化物层；和在所述金属氧化物层上形成上部电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||