| 发明名称 | PNP双极型晶体管辅助触发的互补型SCR结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种PNP双极型晶体管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD防护；利用第一可控硅和第二可控硅中的各一个双极型晶体管构成第三可控硅，用于正电源线与负电源线之间的ESD防护。本发明采用PNP双极型晶体管降低各个可控硅的触发电压，特别适用于深亚微米工艺集成电路的片上ESD防护。 | ||
| 申请公布号 | CN101771045A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN201010040059.5 | 申请日期 | 2010.01.19 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 李明亮;董树荣;韩雁;宋波;苗萌;马飞 |
| 分类号 | H01L27/082(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/082(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
| 主权项 | 一种PNP双极型晶体管辅助触发的互补型SCR结构，包括：第一可控硅(SCR1)，由第一双极型晶体管(30)和第二双极型晶体管(31)构成，其中第一双极型晶体管(30)的发射极接至正电源线(VDD)，第二双极型晶体管(31)的发射极接至需保护的芯片引脚(IN)；第二可控硅(SCR2)，由第三双极型晶体管(32)和第四双极型晶体管(33)构成，其中第三双极型晶体管(32)的发射极接至所述的需保护的芯片引脚(IN)，第四双极型晶体管(33)的发射极接至负电源线(VSS)；其特征在于，设有PNP双极型晶体管(38)，PNP双极型晶体管(38)的发射极和基极相连接，且接至第一双极型晶体管(30)和第三双极型晶体管(32)的基极，PNP双极型晶体管(38)的集电极接至第二双极型晶体管(31)和第四双极型晶体管(33)的基极；所述的第一双极型晶体管(30)的基极和第三双极型晶体管(32)的基极通过N阱电阻接至正电源线(VDD)；所述的第二双极型晶体管(31)的基极和第四双极型晶体管(33)的基极通过P阱电阻接至负电源线(VSS)。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||