发明名称 |
二段式太阳能电池的制造方法 |
摘要 |
本发明提出了一种二段式太阳能电池制造方法,包括:制造基板;进行杂质植入后进行扩散;或进行扩散后进行杂质植入;所述杂质植入步骤包括:在基板上设置一遮挡物,所述遮挡物具有预设的图案开口,所述开口贯穿所述遮挡物;在遮挡物下方植入杂质,并使位于所述开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度;在表面形成反射防止膜并形成电极。本发明通过采用遮挡物实现控制不同区域植入不同浓度的掺杂离子,使电极下方形成高浓度层,其他区域形成低浓度层。本发明提出的方法,能够采用一次植入及扩散,实现与现有的二段式太阳能电池相同的技术参数,具有更好的接触电阻、较高的转换效率,同时又能减少生产工艺步骤、降低成本。 |
申请公布号 |
CN101771103A |
申请公布日期 |
2010.07.07 |
申请号 |
CN200910001901.1 |
申请日期 |
2009.01.07 |
申请人 |
和舰科技(苏州)有限公司 |
发明人 |
林志光;吴月花 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京连和连知识产权代理有限公司 11278 |
代理人 |
郑光 |
主权项 |
一种二段式太阳能电池制造方法,包括:步骤1、制造基板;步骤2、进行杂质植入后进行扩散;或进行扩散后进行杂质植入;所述杂质植入步骤包括:在基板上设置一遮挡物,所述遮挡物具有预设的图案开口,所述开口贯穿所述遮挡物;在遮挡物下方植入杂质,并使位于所述开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度;步骤3、在表面形成反射防止膜并形成电极。 |
地址 |
215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 |