| 发明名称 | 一种源极为肖特基结的隧穿晶体管结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种源极为肖特基结的隧穿晶体管(TFET)结构及其制备方法，该隧穿晶体管采用源极为肖特基结的U形沟道结构，其驱动电流得到提高的同时漏电流也得到了减小；同时，该隧穿晶体管利用自对准金属硅化物工艺形成晶体管的栅极、源极和漏极，工艺过程简单，成本低廉，器件的性能得到了很大提升；而且，使用不同的肖特基结做为U形沟道的N型隧穿晶体管(NTFET)和P型隧穿晶体管(PTFET)的源极，可以制成类似CMOS结构的互补隧穿晶体管(CTFET)。 | ||
| 申请公布号 | CN101771079A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200910247546.6 | 申请日期 | 2009.12.30 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 王鹏飞;吴东平;张卫 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种隧穿晶体管结构，其特征在于，该隧穿晶体管包括至少一个半导体衬底、一个源极、一个漏极和一个栅极；并采用U形沟道结构；其中，所述的源极采用肖特基结。 | ||
| 地址 | 200433 上海市邯郸路220号 | ||