发明名称 |
CMOS图像传感器及其成像方法 |
摘要 |
一种CMOS图像传感器及其成像方法。所述CMOS图像传感器包括像素单元,所述像素单元中包括用于产生光电流的光敏二极管,所述光敏二极管中PN结的结深对应于第一原色光在所述PN结中的吸收深度;在所述光敏二极管的正极处还连接有可变电压源,所述可变电压源提供用于调节所述光敏二极管中PN结的耗尽区宽度的反偏电压。所述CMOS图像传感器节约了工艺成本,提高了工艺良率,且对于各个波长的光都具有更好的吸收效率。 |
申请公布号 |
CN101771800A |
申请公布日期 |
2010.07.07 |
申请号 |
CN200810205380.7 |
申请日期 |
2008.12.31 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
罗文哲;欧阳雄;杨建平;朱虹 |
分类号 |
H04N3/15(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H04N3/15(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
李丽 |
主权项 |
一种CMOS图像传感器,包括像素单元,所述像素单元包括用于产生光电流的光敏二极管,其特征在于,所述光敏二极管中PN结的结深对应于三原色光中任意一种在所述PN结中的吸收深度;在所述光敏二极管的正极处还连接有可变电压源,所述可变电压源提供用于调节所述光敏二极管中PN结的耗尽区宽度的反偏电压。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |