发明名称 CMOS图像传感器及其成像方法
摘要 一种CMOS图像传感器及其成像方法。所述CMOS图像传感器包括像素单元,所述像素单元中包括用于产生光电流的光敏二极管,所述光敏二极管中PN结的结深对应于第一原色光在所述PN结中的吸收深度;在所述光敏二极管的正极处还连接有可变电压源,所述可变电压源提供用于调节所述光敏二极管中PN结的耗尽区宽度的反偏电压。所述CMOS图像传感器节约了工艺成本,提高了工艺良率,且对于各个波长的光都具有更好的吸收效率。
申请公布号 CN101771800A 申请公布日期 2010.07.07
申请号 CN200810205380.7 申请日期 2008.12.31
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 罗文哲;欧阳雄;杨建平;朱虹
分类号 H04N3/15(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H04N3/15(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 李丽
主权项 一种CMOS图像传感器,包括像素单元,所述像素单元包括用于产生光电流的光敏二极管,其特征在于,所述光敏二极管中PN结的结深对应于三原色光中任意一种在所述PN结中的吸收深度;在所述光敏二极管的正极处还连接有可变电压源,所述可变电压源提供用于调节所述光敏二极管中PN结的耗尽区宽度的反偏电压。
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