| 发明名称 | 快闪存储器的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种快闪存储器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浮栅以及位于浮栅上的层间绝缘层；在半导体衬底上形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖浮栅；在多晶硅层上形成研磨保护层；平坦化研磨保护层和多晶硅层；刻蚀多晶硅层至露出半导体衬底，在浮栅位置的层间绝缘层上形成控制栅。本发明改善了多晶硅层从层间绝缘层上剥落的情况。 | ||
| 申请公布号 | CN101770954A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200810208186.4 | 申请日期 | 2008.12.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 蒋莉;蔡孟峰;常建光 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浮栅以及位于浮栅上的层间绝缘层；在半导体衬底上形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖浮栅；在多晶硅层上形成研磨保护层；平坦化研磨保护层和多晶硅层；刻蚀多晶硅层至露出半导体衬底，在浮栅位置的层间绝缘层上形成控制栅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||