发明名称 |
Non-volatile semiconductor memory and method for fabricating a non-volatile semiconductor memory |
摘要 |
A non-volatile semiconductor memory includes memory cell transistors arranged in a matrix, wherein each of the memory cell transistors is a depletion mode MIS transistor.
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申请公布号 |
US7750417(B2) |
申请公布日期 |
2010.07.06 |
申请号 |
US20070832459 |
申请日期 |
2007.08.01 |
申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
IINO NAOHISA;MATSUNAGA YASUHIKO;ARAI FUMITAKA |
分类号 |
H01L27/088;H01L27/112 |
主分类号 |
H01L27/088 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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