发明名称 Non-volatile semiconductor memory and method for fabricating a non-volatile semiconductor memory
摘要 A non-volatile semiconductor memory includes memory cell transistors arranged in a matrix, wherein each of the memory cell transistors is a depletion mode MIS transistor.
申请公布号 US7750417(B2) 申请公布日期 2010.07.06
申请号 US20070832459 申请日期 2007.08.01
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 IINO NAOHISA;MATSUNAGA YASUHIKO;ARAI FUMITAKA
分类号 H01L27/088;H01L27/112 主分类号 H01L27/088
代理机构 代理人
主权项
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