发明名称 电镀方法;PLATING METHOD
摘要 本发明提供含有整平剂的铜电镀浴,该整平剂为包括选自氮、硫及氮与硫的混合物之杂原子的化合物与含有醚键联的聚环氧化物化合物之反应产物,该整平剂使铜沈积在电子装置的表面上及此基材上的孔口中。此等电镀浴横跨一范围的电解质浓度使铜层沈积在实质上平坦的基材表面上。同时也揭示使用此铜电镀浴沈积铜层的方法。
申请公布号 TWI326721 申请公布日期 2010.07.01
申请号 TW095124764 申请日期 2006.07.07
申请人 罗门哈斯电子材料有限公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS, L.L.C. 美国 发明人 林慎二郎;土田秀树;日下大;蓬田浩一
分类号 主分类号
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼<name>陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 1.一种在印刷电路板上沈积铜之方法,包含使具有盲孔的印刷电路板与包含铜离子源、电解质及整平剂的铜电镀浴接触,该整平剂系包含选自氮、硫及氮与硫的混合物之杂原子的化合物与含有醚键联的聚环氧化物化合物之反应产物;接着施加一电流密度达到足以使铜层沈积在该基材上的时间,其中该反应产物具有&lt;2.5的多分散性,该化合物包含选自氮、硫及氮与硫的混合物之杂原子的化合物系选自二芳基胺类、咪唑、三唑、四唑、苯并咪唑、苯并三唑、六氢吡啶、吗啉、六氢吡、吡啶、唑、苯并唑、嘧啶、喹啉、异喹啉、聚伸乙亚胺、聚醯胺基胺、硫脲、经一个或更多个选自胺基、烷基胺基、二烷基胺基、烷基、芳基、烯基、烷氧基及卤基之取代基取代之硫脲类、苯胺黑、五甲基-对-蔷薇苯胺氢卤酸盐、六甲基-对-蔷薇苯胺氢卤酸盐及含有N-R”-S的官能基的化合物,其中R”是经取代的烷基、未经取代的烷基、经取代的芳基或未经取代的芳基,以及该聚环氧化物化合物具有下式(I)式中R系(C1-C10)烷基;而且R 2 及R 3 系独立地选自H及R,其中n=1至20。 ;2.如申请专利范围第1项之方法,其中该多分散性系&lt;2。 ;3.如申请专利范围第1项之方法,其中该印刷电路板复包含通孔。 ;4.如申请专利范围第1项之方法,其中该铜电镀浴具有70%的匀镀能力(throwing power)。;第1图显示根据本发明电镀铜的PCB中之盲孔的断面图。;第2图显示使用传统铜电镀浴电镀铜的PCB中之盲孔的断面图。
地址 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS, L.L.C. 美国