具电压位移电路之锁相回路;PHASE-LOCKED LOOP HAVING LEVEL-SHIFT CIRCUIT

摘要

本发明提出一种具电压位移电路的锁相回路，其中包括一相位频率检测器、一电荷泵、一回路滤波器、一电压位移电路、以及一电压控制振荡器。该回路滤波器内的电容为MOS电容，属于高电压元件，目的为避免漏电流。该电压控制振荡器为低电压元件，用以产生一高频的时脉信号。该电荷泵与该MOS电容之闸极耦接于一第一控制端。该电压位移电路与该电压控制振荡器耦接于一第二控制端。其中该电压位移电路在该第一控制端与该第二控制端之间产生一压降。该电压控制振荡器根据该第二控制端之电压值调整该时脉信号的频率大小。

主权项

1.一种具电压位移电路之锁相回路，其中包括：一相位频率检测器，用以检测一时脉信号与一参考时脉信号的相位频率差以产生一输出信号；一第一电荷泵，其耦接于该相位频率检测器；一回路滤波器，包括一MOS电容，该MOS电容为一高电压元件，该MOS电容之闸极与该第一电荷泵耦接于一第一控制端；一电压控制振荡器，为一低电压元件，用以根据一第二控制端之一电压值调整该时脉信号之频率；以及一电压位移电路、一电阻与一第二电荷泵，该电压位移电路将该第一控制端之电位以一压降调整后经由该电阻耦接至该第二电荷泵的一输入端，且该第二电荷泵之一输出端耦接该第二控制端；其中，该第一电荷泵会根据该相位频率检测器之该输出信号对该MOS电容进行充放电，以调整该第一控制端之一电压值。 ;2.如申请专利范围第1项所述之具电压位移电路之锁相回路，其中该电压位移电路包括一源极随耦器，该源极随耦器为一NMOS电晶体并且为一高电压元件，上述压降即该NMOS电晶体之一闸极至一源极之间的压降。 ;3.如申请专利范围第2项所述之具电压位移电路之锁相回路，其中该电压位移电路更包括一单位增益缓冲器，该单位增益缓冲器之输入与输出端分别耦接至该NMOS电晶体之一源极与上述电阻。 ;4.如申请专利范围第1项所述之具电压位移电路之锁相回路，其中该第一电荷泵为一高电压元件。 ;5.如申请专利范围第1项所述之具电压位移电路之锁相回路，其制造技术为奈米制程。 ;6.如申请专利范围第1项所述之具电压位移电路之锁相回路，其中该电压控制振荡器为一电源调节电压控制振荡器，该第二控制端之该电压值系直接用来作为该电源调节电压控制振荡器之一电源信号，以便调整该时脉信号之频率。 ;7.如申请专利范围第1项所述之具电压位移电路之锁相回路，其中，该第二电荷泵为一低电压元件。;第1图为传统的锁相回路；第2图为本发明之锁相回路的实施例；第3图为本发明之锁相回路的另一实施例；以及第4图为本发明之锁相回路的另一实施例。