薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法与液晶显示器的制造方法;METHOD OF FABRICATING A THIN FILM TRANSISTOR OF A THIN FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD OF FABRICATING A TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY

摘要

一种薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，首先在基板上形成一图案化介电层，然后在基板上形成一金属层，并覆盖于图案化介电层。接着对金属层进行一平坦化步骤，直到暴露出图案化介电层的表面，其中保留下来的金属层即是闸极。之后，在图案化介电层与闸极上形成闸绝缘层，并且在闸极上方之闸绝缘层上形成半导体层。最后，在半导体层上形成源极以及汲极。

主权项

1.一种薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，包括：在一基板上形成一第一图案化介电层，该第一图案化介电层具有一开口；在该基板上形成一第一金属层，并覆盖该第一图案化介电层以及该开口；对该第一金属层进行一平坦化步骤，直到该第一图案化介电层表面暴露出，其中于该开口中保留下来的该第一金属层即是一闸极；在该第一图案化介电层与该闸极上形成一闸绝缘层；在该闸极上方之该闸绝缘层上形成一半导体层；以及在该半导体层上形成一源极以及一汲极。 ;2.如申请专利范围第1项所述薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，其中该平坦化步骤包括一化学机械研磨制程。 ;3.如申请专利范围第1项所述薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，其中该第一金属层之材质系选自铜、钨、铬、铝及其组合其中之一。 ;4.如申请专利范围第1项所述薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，其中形成该源极以及该汲极之方法包括：在该闸绝缘层上形成一第二图案化介电层；在该第二图案化介电层上形成一第二金属层；以及进行一平坦化步骤，以移除部分的该第二金属层并且移除该第二图案化介电层之部分厚度，而形成该源极以及该汲极。 ;5.如申请专利范围第4项所述薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，其中该平坦化步骤包括一化学机械研磨制程。 ;6.如申请专利范围第4项所述薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，其中该第二金属层之材质系选自铜、钨、铬、铝及其组合其中之一。 ;7.如申请专利范围第4项所述薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，其中于形成该源极以及该汲极之后，更包括移除该第二图案化介电层。 ;8.如申请专利范围第1项所述薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，其中在该基板上形成该第一图案化介电层之前，更包括于该基板上形成一应力缓冲层。 ;9.如申请专利范围第8项所述薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，其中该应力缓冲层系选自一氧化矽层、一氮化矽层、一氮氧化矽层及其组合其中之一。 ;10.如申请专利范围第1项所述薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，其中该半导体层包括一通道层以及一欧姆接触层。 ;11.一种薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，包括：在一基板上形成一闸极；在该基板上形成一闸绝缘层，覆盖该闸极；在该闸极上方之该闸绝缘层上形成一半导体层；在该闸绝缘层上形成一具有开口的图案化介电层；在该图案化介电层上形成一金属层；以及对该金属层进行一平坦化步骤，以移除部分的该金属层直到该图案化介电层表面暴露出，并且移除该图案化介电层之部分厚度，而于该图案化介电层的开口中保留下来的该金属层形成一源极以及一汲极。 ;12.如申请专利范围第11项所述薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，其中该平坦化步骤包括一化学机械研磨制程。 ;13.如申请专利范围第11项所述薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，其中该金属层之材质系选自铜、钨、铬、铝及其组合其中之一。 ;14.如申请专利范围第11项所述薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，其中在该基板上形成该闸极之前，更包括于该基板上形成一应力缓冲层。 ;15.如申请专利范围第14项所述薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，其中该应力缓冲层系选自一氧化矽层、一氮化矽层、一氮氧化矽层及其组合其中之一。 ;16.如申请专利范围第11项所述薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造方法，其中该半导体层包括一通道层以及一欧姆接触层。 ;17.一种液晶显示器的制造方法，包括：在一第一基板上形成一薄膜电晶体阵列层，该薄膜电晶体阵列层包括多数个薄膜电晶体与多数个画素电极，且各该些薄膜电晶体包括一闸极、一源极与一汲极，其中形成该闸极及/或该汲极与源极之方法包括：形成一具有开口的图案化介电层；在该图案化介电层上形成一金属层；对该金属层进行一平坦化步骤以去除部分该金属层，且于该图案化介电层的开口中保留下来的该金属层即是该闸极及/或该源极与该汲极；提供一第二基板；以及在该第一基板与该第二基板之间形成一液晶层。 ;18.如申请专利范围第17项所述之液晶显示器的制造方法，其中该平坦化步骤包括一化学机械研磨制程。 ;19.如申请专利范围第17项所述之液晶显示器的制造方法，其中该金属层之材质系选自铜、钨、铬、铝及其组合其中之一。 ;20.如申请专利范围第17项所述之液晶显示器的制造方法，该第二基板上更包括一彩色滤光层。;图1A~1D依序绘示为本发明一实施例薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造流程剖面图。;图2A~2F依序绘示为本发明另一实施例薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造流程剖面图。;图3A~3F绘示为本发明再一实施例薄膜电晶体液晶显示器之薄膜电晶体的制造流程剖面图。;图4绘示为本发明一实施例之一种液晶显示器的剖面图。