发明名称 静电消散层系统及方法;STATIC DISSIPATIVE LAYER SYSTEM AND METHOD
摘要 本发明提供一种装置、系统、及方法,包含:复数个测试接脚、具有复数个开口之静电消散层、以及耦合至该静电消散层的复数个支撑特征,以在第一与第二相对位置移动式支撑该静电消散层。当在该第一相对位置支撑该静电消散层时,支撑特征使该静电消散层与欲测试之构件的端子进行初始接触,以使若有任何静电的话,释放在该构件的该些端子所累积之静电。于该静电消散层已在第一相对位置与该构件的该些端子进行初始接触之后,支撑特征亦使该静电消散层经由该些开口暴露出该些测试接脚,以与该构件的该些端子进行接触。
申请公布号 TWI326771 申请公布日期 2010.07.01
申请号 TW096118975 申请日期 2007.05.28
申请人 英特尔股份有限公司 INTEL CORPORATION 美国 发明人 沃利 德拉克鲁兹;查尔林 辛戴;杰佛瑞 康克迪亚
分类号 主分类号
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种装置,包含:复数个测试接脚;具有复数个开口之静电消散层;以及耦合至该静电消散层的复数个支撑特征,以在第一与第二相对位置移动式支撑该静电消散层,以当在该第一相对位置支撑该静电消散层时,使该静电消散层与欲测试之构件的端子进行初始接触,以使若有任何静电的话,释放在该构件的该些端子所累积之静电,以及在该静电消散层已于第一相对位置与该构件的该些端子进行初始接触之后,使该静电消散层经由该些开口暴露出该些测试接脚,以与该构件的该些端子进行接触,当在该第二相对位置支撑该静电消散层时,该复数个开口与该些测试接脚实质上对齐。 ;2.如申请专利范围第1项之装置,其中该复数个支撑特征包含偏置器,设计成将该静电消散层以及该复数个测试接脚之一或两者朝该第一相对位置偏置。 ;3.如申请专利范围第2项之装置,其中该偏置器具有强到足以支撑该构件的偏置力,以及进一步包含推件,设计成将该静电消散层朝该些测试接脚推抵该偏置器。 ;4.如申请专利范围第2项之装置,其中该偏置器具有偏置力,使该构件的重量将该静电消散层推向该些测试接脚。 ;5.如申请专利范围第1项之装置,其中该复数个开口为倒平截头锥形。 ;6.如申请专利范围第1项之装置,其中该静电消散层具有邻接该复数个开口之复数个凸出物,其设计成接触该些端子,以使若有静电荷的话,释放来自该些端子的静电荷。 ;7.如申请专利范围第1项之装置,进一步包含基部,设计成支承该复数个测试接脚,以及其中该静电消散层具有自其相对边缘延伸的两凸部,以及该复数个支撑特征包含设置在该两凸部的每一个与该基部之间的偏置件,以将该静电消散层以及该复数个测试接脚朝该第一相对位置偏置。 ;8.如申请专利范围第1项之装置,其中该静电消散层与设计成测试该构件的测试电路上的接地耦合。 ;9.一种方法,包含:将欲测试的构件放置在具有数个测试接脚以及在该些测试接脚上受移动式支撑的静电消散层之测试装置中,其中在暴露出该些测试接脚以接触该构件的端子之前,该静电消散层与该构件的该些端子进行初始接触,以使若有任何静电的话,实质上释放在该构件的该些端子所累积之静电;以及测试该构件。 ;10.如申请专利范围第9项之方法,进一步包含将该静电消散层与该些测试接脚之一或两者偏置成互相远离。 ;11.如申请专利范围第9项之方法,进一步包含在该静电消散层中形成数个倒平截头锥形的开口,其大小为允许该些测试接脚通过并接触该些端子。 ;12.如申请专利范围第9项之方法,进一步包含在该静电消散层上形成数个凸出物,其设置成接触该些端子。 ;13.如申请专利范围第9项之方法,进一步包含将该静电消散层与设计成测试该构件的测试电路上之接地耦合。 ;14.一种系统,包含:测试器,具有适于容纳测试用之构件的插座,该插座具有复数个测试接脚、具有复数个开口之静电消散层、与该静电消散层耦合之复数个支撑特征,以在第一与第二相对位置移动式支撑该静电消散层,以当在该第一相对位置支撑该静电消散层时,使该静电消散层与欲测试之构件的端子进行初始接触,以使若有任何静电的话,释放在该构件的该些端子所累积之静电,以及在该静电消散层已于第一相对位置与该构件的该些端子进行初始接触之后,使该静电消散层经由该些开口暴露出该些测试接脚,以与该构件的该些端子进行接触,当在该第二相对位置支撑该静电消散层时,该复数个开口与该些测试接脚实质上对齐;以及与该测试器耦合的电源供应单元,以提供DC电力给该测试器。 ;15.如申请专利范围第14项之系统,其中该复数个支撑特征包含偏置器,设计成将该静电消散层以及该复数个测试接脚之一或两者朝该第一相对位置偏置。 ;16.如申请专利范围第15项之系统,其中该偏置器具有强到足以支撑该构件的偏置力,以及进一步包含推件,设计成将该静电消散层朝该些测试接脚推抵该偏置器。 ;17.如申请专利范围第14项之系统,其中该复数个开口为倒平截头锥形。 ;18.如申请专利范围第14项之系统,其中该静电消散层具有邻接该复数个开口之复数个凸出物,其设计成接触该些端子,以使若有静电荷的话,释放来自该些端子的静电荷。 ;19.如申请专利范围第14项之系统,其中该插座包含基部,设计成支承该复数个测试接脚,以及其中该静电消散层具有自其相对边缘延伸的两凸部,以及该复数个支撑特征包含设置在该两凸部的每一个与该基部之间的偏置件,以将该静电消散层以及该复数个测试接脚朝该第一相对位置偏置。 ;20.如申请专利范围第14项之系统,其中该静电消散层与设计成测试该构件的测试电路上的接地耦合。;藉由详细说明连同附图更容易理解本发明之实施例。为了帮助说明,类似的参考元件符号指定类似的结构元件。本发明藉由附图的图示例示性而非限制性地图解本发明之实施例。;第1a图为描绘根据本发明之各种实施例的装置之剖面图;第1b图为描绘在第1a图中之实施例的详细剖面图,其显示于第一相对位置中之装置;第1c图为描绘在第1a图中之实施例的详细剖面图,其显示于第二相对位置中之装置;第2a图为描绘根据本发明之各种实施例的装置之剖面图;第2b图为描绘在第1a图中之实施例的详细剖面图,其显示于第一相对位置中之装置;第2c图为描绘在第1a图中之实施例的详细剖面图,其显示于第二相对位置中之装置;第3图为描绘在第2a图中之静电消散层114的上视图;第4a图为描绘于第一相对位置中之根据本发明之各种实施例的装置之详细剖面图;第4b图为描绘显示在第4a图中之于第二相对位置中的装置之详细剖面图;第5图为描绘根据本发明之各种实施例的装置之详细剖面图;第6图为描绘根据本发明之各种实施例的装置之剖面图;第7图描绘根据本发明之各种实施例的系统之部分示意与部分区块图;第8图为描绘根据本发明之各种实施例的方法之流程图;以及第9图为描绘根据本发明之各种实施例的方法之流程图。
地址 INTEL CORPORATION 美国