发明名称 具有迟滞功能之音量控制电路;HYSTERESIS VOLUME CONTROL CIRCUIT
摘要 一种具有迟滞功能之音量控制电路,其包含有一比较器、一控制逻辑、一可偏移电压之参考电压产生单元以及一运算单元。比较器用来比较输入电压与参考电压以产生比较值;控制逻辑电连接于比较器,用来产生判断讯号,并且根据比较值产生音量编码(code);可偏移电压之参考电压产生单元电连接于控制逻辑与比较器,用来根据判断讯号选择导通第一或第二回路,分别在第一或第二回路导通时产生参考电压;以及运算单元电连接于控制逻辑,用来根据音量编码及目前音量值来控制音量大小。
申请公布号 TWI326969 申请公布日期 2010.07.01
申请号 TW096101844 申请日期 2007.01.16
申请人 晶豪科技股份有限公司 ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. 新竹市科学园区工业东四路23号 发明人 朱立平
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项 1.一种具有迟滞功能之音量控制电路,其包含有:一比较器,用来比较一输入电压与一第一参考电压以产生一第一比较值,以及比较该输入电压与一第二参考电压以产生一第二比较值;一控制逻辑,电连接于该比较器,用来产生一判断讯号,并且根据该第一比较值产生一第一音量编码(code)以及根据该第二比较值产生一第二音量编码;一可偏移电压之参考电压产生单元,电连接于该控制逻辑,用来根据该判断讯号选择导通一第一回路或者一第二回路,当该第一回路导通时产生该第一参考电压,以及当该第二回路导通时产生该第二参考电压;以及一运算单元,电连接于该控制逻辑,用来根据该第一、第二音量编码及目前之一音量值来调整音量大小。 ;2.如申请专利范围第1项所述之音量控制电路,其中该可偏移电压之参考电压产生单元包含有:一电阻单元;一电阻串;以及一第一、第二、第三、第四、第五以及第六开关,其中该第二开关、该电阻串、该第一开关、该电阻单元以及该第四开关依序串接于一电源与地之间形成一第一回路;以及该第五开关、该电阻单元、该第三开关、该电阻串以及该第六开关依序串接于该电源与地之间形成一第二回路;其中当该第一回路导通而该第二回路关闭时,电流由该电源沿第一回路流至地;当该第二回路导通而该第一回路关闭时,电流由该电源沿第二回路流至地。 ;3.如申请专利范围第2项所述之音量控制电路,其中该可偏移电压之参考电压产生单元另包含有:一反向器,用来反向该判断讯号以产生一反向判断讯号;其中该第一、第三、第四以及第五开关系由该判断讯号来控制,而该第二以及第六开关系由该反向判断讯号来控制。 ;4.如申请专利范围第3项所述之音量控制电路,其中该控制逻辑系切换该电阻串不同处之分压以产生该第一、第二参考电压,该第二、第三以及第五开关分别由第二、第三以及第五P型金属氧化物半导体(PMOS)电晶体所构成;该第一、第四以及第六开关分别由第一、第四以及第六N型金属氧化物半导体(NMOS)电晶体所构成,其中该第一MOS电晶体之源极电连接于该第三MOS电晶体之源极以及该电阻单元之一端,该电阻单元之另一端电连接于该第五、第四MOS电晶体之汲极,该第五、第二MOS电晶体之源极电连接于该电源,该第六、第四MOS电晶体之源极电连接于地,该第一、第三、第四、第五MOS电晶体之闸极电连接于该反向器之输入端以及该判断讯号,该反向器之输出端电连接于该第二、第六MOS电晶体之闸极,该第二、第三MOS电晶体之汲极电连接于该电阻串之一端,该电阻串之另一端电连接于该第一、第六MOS电晶体之汲极。 ;5.如申请专利范围第2项所述之音量控制电路,其中该控制逻辑系切换该电阻串不同处之分压以产生该第一、第二参考电压,以及该第一、第二、第三、第四、第五以及第六开关系为金属氧化物半导体(MOS)电晶体。 ;6.如申请专利范围第1项所述之音量控制电路,其中该控制逻辑根据该第一、第二比较值产生一二进位数值,以及该控制逻辑包含有一解码器(decoder),用来接收该二进位数值以切换该可偏移电压之参考电压产生单元产生该第一、第二参考电压。 ;7.如申请专利范围第6项所述之音量控制电路,其中该解码器系为一树状开关网路(tree-like switch network),其中各开关之开启与关闭系由该二进位数值决定。 ;8.如申请专利范围第1项所述之音量控制电路,其中该判断讯号系周期性地改变以选择性地导通该第一或第二回路,在该第一或第二回路导通时该控制逻辑分别以二分逼近法切换该可偏移电压之参考电压产生单元以得出最接近该输入电压之该第一、第二参考电压。 ;9.一种具有迟滞功能之音量控制方法,其包含有:比较一输入电压与一第一参考电压以产生一第一比较值,以及比较该输入电压与一第二参考电压以产生一第二比较值;产生一判断讯号,并且根据该第一比较值产生一第一音量编码(code)以及根据该第二比较值产生一第二音量编码;根据该判断讯号选择导通一第一回路或者一第二回路,在该第一回路导通时产生该第一参考电压,以及在该第二回路导通时产生该第二参考电压;以及根据该第一、第二音量编码与目前之一音量值来控制音量大小。 ;10.如申请专利范围第9项所述之音量控制方法,其中选择导通该第一回路或者该第二回路之步骤包含有:利用一第二开关、一电阻串、一第一开关、一电阻单元以及一第四开关依序串接于一电源与地之间形成该第一回路;以及利用一第五开关、该电阻单元、一第三开关、该电阻串以及一第六开关依序串接于该电源与地之间形成一第二回路;使得该第一回路导通而该第二回路关闭时,电流由该电源沿第一回路流至地;而当该第二回路导通而该第一回路关闭时,电流由该电源沿第二回路流至地。 ;11.如申请专利范围第10项所述之音量控制方法,其中选择导通该第一回路或者该第二回路之步骤另包含有:反向该判断讯号以产生一反向判断讯号;其中该第一、第三、第四以及第五开关系由该判断讯号来控制,而该第二以及第六开关系由该反向判断讯号来控制。 ;12.如申请专利范围第10项所述之音量控制方法,其系利用切换该电阻串不同处之分压以产生该第一、第二参考电压。 ;13.如申请专利范围第12项所述之音量控制方法,其系解码一二进位数值来控制一树状开关网路(tree-like switch network)以切换该电阻串不同处之分压以产生该第一、第二参考电压。 ;14.如申请专利范围第9项所述之音量控制方法,其另包含有:周期性地导通该第一或第二回路,在该第一或第二回路导通时分别以二分逼近法得出最接近该输入电压之该第一、第二参考电压。;第1图为习知技术音量控制电路之电路图。;第2图为习知技术中输入电压Vin与音量值之对应关系图。;第3图为本发明具有迟滞功能之音量控制电路一实施例之方块图。;第4图为第3图中可偏移电压之参考电压产生单元一实施例之电路图。;第5图为第4图可偏移电压之参考电压产生单元实施例中不同回路导通时参考电压值差异之示意图。;第6图为第3图中音量控制电路第一实施例之电路图。;第7图为本发明利用音量编码Cv0与Cv1来决定音量值VL的演算法流程图。;第8图为第6图音量控制电路实施例中输入电压Vin与音量值VL的迟滞曲线图。;第9图为第3图中音量控制电路第二实施例之电路图。
地址 ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. 新竹市科学园区工业东四路23号