发明名称 一种萤光材料及其制备方法;A PHOSPHOR AND METHOD FOR MAKING THE SAME
摘要 本发明揭示一种磷酸盐类化合物萤光材料及其制备方法,该磷酸盐类化合物萤光材料之通式为AaBbPO4:Mm,其中0<a,b,m<=1,其组成包括:包含有A之一第一反应物、包含有B之一第二反应物、包含有PO4之一第三反应物、及包含有M之一第四反应物。其中A为单一或两种以上选自Li、Na、K、Rb、及Cs之元素,B为单一或两种以上选自Mg、Ca、Sr、Ba、及Zn之元素,M为单一或两种以上选自稀土类之元素。本发明之材料具光色纯、热稳定等优点。此外,本发明所揭示之萤光材料可利用多种合成方法制得单相ABPO4:M之粉末,例如:固态反应法、凝胶法或喷雾热裂解法。本发明为新相之萤光粉、制备方法简易迅速、易大量生产,所得成品具产业应用价值。
申请公布号 TWI326704 申请公布日期 2010.07.01
申请号 TW095134166 申请日期 2006.09.14
申请人 晶元光电股份有限公司 EPISTAR CORPORATION 新竹市新竹科学工业园区力行五路5号 发明人 刘如熹;林群哲;王健源
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项 1.一种磷酸盐类化合物萤光材料,该磷酸盐类化合物之通式为AaBbPO4:Mm,其中0&lt;a,b,m1,A为单一或两种以上选自Li、Na、K、Rb、及Cs,B为单一或两种以上选自Mg、Ca、Sr、Ba、及Zn,及M为单一或两种以上选自稀土类之Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、及Lu元素。 ;2.如申请专利范围第1项所述之磷酸盐类化合物萤光材料,该萤光材料于350~400nm波长之光源照射下,能够放出蓝色之萤光。 ;3.如申请专利范围第2项所述磷酸盐类化合物萤光材料,该350~400nm波长之光源为发光二极体或电浆。 ;4.一种磷酸盐类化合物萤光材料的制备方法,包含:将含有A之一第一反应物、含有B之一第二反应物、含有PO4之一第三反应物、及含有M之一第四反应物混合成一混合物;以及将该混合物在一还原气氛中加热形成一磷酸盐类化合物,该磷酸盐类化合物之通式为AaBbPO4:Mm,其中0&lt;a,b,1,A为单一或两种以上选自Li、Na、K、Rb、及Cs,B为单一或两种以上选自Mg、Ca、Sr、Ba、及Zn,及M为单一或两种以上选自稀土类之Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、及Lu元素。 ;5.如申请专利范围第4项所述之磷酸盐类化合物萤光材料的制备方法,其中该还原气氛系于制程中通入氢气及氮气,氢气及氮气之比例为1:3。 ;6.如申请专利范围第4项所述之磷酸盐类化合物萤光材料的制备方法,其中该含有A之第一反应物包含至少一种材料选自于含有A之碳酸盐类、磷酸盐类、及硝酸盐类构成之材料群组。 ;7.如申请专利范围第4项所述之磷酸盐类化合物萤光材料的制备方法,其中该含有B之第二反应物包含至少一种材料选自于含有B之碳酸盐类、硝酸盐类、及氧化物所构成之材料群组。 ;8.如申请专利范围第4项所述之磷酸盐类化合物萤光材料的制备方法,其中该含有PO4之第三反应物包含至少一种材料选自于LiH2PO4及(NH4)2HPO4所构成之材料群组。 ;9.如申请专利范围第4项所述之磷酸盐类化合物萤光材料的制备方法,其中该含有Eu之第四反应物包含至少一种材料选自于含有Eu之氧化物及硝酸盐类所构成之材料群组。 ;10.如申请专利范围第4项所述之磷酸盐类化合物萤光材料的制备方法,其中于还原气氛中加热前更包含将混合物于空气环境中,在400℃~650℃加热1~5小时。 ;11.如申请专利范围第4项所述之磷酸盐类化合物萤光材料的制备方法,其中系于700℃~1400℃之还原气氛中加热该混合物1~5小时。 ;12.如申请专利范围第10项所述之磷酸盐类化合物萤光材料的制备方法,其中于空气环境中加热之加热温度较佳为600℃。 ;13.如申请专利范围第10项所述之磷酸盐类化合物萤光材料的制备方法,其中于空气环境中加热之加热时间较佳为3小时。 ;14.如申请专利范围第11项所述之磷酸盐类化合物萤光材料的制备方法,其中还原气氛中加热之加热温度较佳为1300℃。 ;15.如申请专利范围第11项所述之磷酸盐类化合物萤光材料的制备方法,其中还原气氛中加热之加热时间较佳为3小时。;第一图系依本发明之一实施例所制备之LiSr1-xPO4:Eux(x=0.05)样品之X光粉末绕射图谱。;第二图系依本发明之一实施例所制备之LiSr1-xPO4:Eux(x=0.05)样品之反应物,未经于空气中低温(600℃)处理及经于空气中低温(600℃)处理样品之(A)光激发与(B)光发射之光谱图。其中虚线部分表示未经于空气中低温处理之样品的光谱,直线部分表示经于空气中低温处理之样品的光谱。;第三图系依本发明调配不同主体金属所制得萤光粉之(A)光激发与(B)光发射之光谱图。;第四图系将第三(B)图之光放射光谱以程式转换所得之CIE色度座标图。
地址 EPISTAR CORPORATION 新竹市新竹科学工业园区力行五路5号