| 主权项 |
1.一种有机场致发光装置，其包含阳极、阴极及被排列在该阳极与该阴极间之有机层，其中该有机层包含一发射层且该发射层包含一电子输送材料及至少一种以下式(5),(6),(7),(8),(9),(10),(11),(12),(13),(14),(15),(16)或(17)表示之胺基苯乙烯基萘化合物：其中R 40 表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，且R 41 表示经取代或未经取代之饱和或不饱和C1-6烷基、经取代或未经取代之脂环族烃基、经取代或未经取代之芳基、经取代或未经取代之C1-6烷氧基、经取代或未经取代之脂环族烃基氧基或经取代或未经取代之芳族烃基氧基；其中R 42 与R 43 可为相同或不同，且各独立表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，且R 44 具有如R 41 之相同意义；其中R 45 表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，且R 46 具有如R 41 之相同意义；其中R 47 与R 48 可为相同或不同，R 47 与R 48 之一表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，R 47 与R 48 之其余一个表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，且R 49 具有如R 41 之相同意义。其中R 50 表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，且R 51 具有如R 41 之相同意义；其中R 52 与R 53 可为相同或不同，R 52 与R 53 之一表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，R 52 与R 53 之其余一个表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，且R 54 具有如R 41 之相同意义；其中R 55 表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，且R 56 具有如R 41 之相同意义；其中R 57 表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，且R 58 具有如R 41 之相同意义；其中R 59 表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，且R 60 具有如R 41 之相同意义；其中R 61 表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，且R 62 具有如R 41 之相同意义；其中R 63 与R 64 可为相同或不同，R 63 与R 64 之一表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，R 63 与R 64 之其余一个表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，且R 65 具有如R 41 之相同意义；其中R 66 表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，且R 67 具有如R 41 之相同意义；其中R 68 与R 69 可为相同或不同，R 68 与R 69 之一表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，R 68 与R 69 之其余一个表示具有1至6个碳原子之饱和或不饱和烷基，或经取代或未经取代之芳基，且R 70 具有如R 41 之相同意义。 ;2.一种以下式[A]表示之胺基苯乙烯基萘化合物，其中：R a 与R b 可为相同或不同，且各独立表示经取代或未经取代之芳基，R c ,R d ,R e ,R g ,R h 及R i 可为相同或不同，R c ,R d ,R e ,R g ,R h 及R i 中至少一个系独立表示氢原子、氰基、硝基、三氟甲基或卤原子，且R c ,R d ,R e ,R g ,R h 及R i 中之其余一或多个，若含有时，系各为氢原子、氰基、硝基、三氟甲基或卤原子，且 R f 表示经取代或未经取代之饱和或不饱和C1-6烷基、经取代或未经取代之脂环族烃基、经取代或未经取代之芳基、经取代或未经取代之C1-6烷氧基、经取代或未经取代之脂环族烃基氧基或经取代或未经取代之芳族烃基氧基。 ;3.根据申请专利范围第2项之胺基苯乙烯基萘化合物，其系以下式[I]、[II]或[III]表示：其中：R 1 与R 2 可为相同或不同，且各独立表示以下式(1)表示之苯基：其中R 6 ,R 7 ,R 8 ,R 9 及R 10 可为相同或不同，R 6 至R 10 中至少一个表示氢原子，具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基，其附带条件是，当R 6 至R 10 中至少两个相邻者各表示具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基时，R 6 至R 10 中至少该两个相邻者可稠合在一起，以形成环，具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基氧基、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基胺基、三氟甲基、氰基或卤原子，而 R 6 至R 10 中之其余一个或多个，若含有时，系各为氢原子，具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基，其附带条件是，当R 6 至R 10 中至少两个相邻者各表示具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基时，R 6 至R 10 中至少该两个相邻者可稠合在一起以形成环，具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基氧基、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基胺基、三氟甲基、氰基或卤原子，R 3 与R 4 可为相同或不同，R 3 与R 4 之一表示氢原子、氰基、硝基、三氟甲基或卤原子，而其余一个表示氢原子、氰基、硝基、三氟甲基或卤原子，且R 5 表示经取代或未经取代之饱和或不饱和C1-6烷基、经取代或未经取代之脂环族烃基、经取代或未经取代之芳基、经取代或未经取代之C1-6烷氧基、经取代或未经取代之脂环族烃基氧基或经取代或未经取代之芳族烃基氧基；其中：R 11 与R 12 可为相同或不同，且各独立表示以下式(2)表示之萘基：其中R 16 ,R 17 ,R 18 ,R 19 ,R 20 ,R 21 及R 22 可为相同或不同，R 16 至R 22 中至少一个表示氢原子、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基氧基、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基胺基、三氟甲基、氰基或卤原子，且R 16 至R 22 中之其余一个或多个，若含有时，系各为氢原子、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基氧基、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基胺基、三氟甲基、氰基或卤原子，R 13 与R 14 可为相同或不同，R 13 与R 14 之一表示氢原子、氰基、硝基、三氟甲基或卤原子，而其余一个表示氢原子、氰基、硝基、三氟甲基或卤原子，且R 15 表示经取代或未经取代之饱和或不饱和C1-6烷基、经取代或未经取代之脂环族烃基、经取代或未经取代之芳基、经取代或未经取代之C1-6烷氧基、经取代或未经取代之脂环族烃基氧基或经取代或未经取代之芳族烃基氧基；其中：R 23 为以下式(3)表示之苯基：其中R 28 ,R 29 ,R 30 ,R 31 及R 32 可为相同或不同，R 28 至R 32 中至少一个表示氢原子，具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基，其附带条件是，当R 28 至R 31 中至少两个相邻者各表示具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基时，R 28 至R 32 中至少该两个相邻者可稠合在一起以形成环，具有至少一个碳原子之烃基氧基、具有至少一个碳原子之烃基胺基、三氟甲基、氰基或卤原子，而R 28 至R 32 中之其余一个或多个，若含有时，各为氢原子，具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基，其附带条件是，当R 28 至R 32 中至少两个相邻者各表示具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基时，R 28 至R 32 中至少该两个相邻者可稠合在一起以形成环，具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基氧基、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基胺基、三氟甲基、氰基或卤原子，R 24 表示以下式(4)表示之萘基：其中R 33 ,R 34 ,R 35 ,R 36 ,R 37 ,R 38 及R 39 可为相同或不同，R 33 至R 39 中至少一个表示氢原子、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基氧基、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基胺基、三氟甲基、氰基或卤原子，而R 33 至R 39 中之其余一个或多个，若含有时，系各为氢原子、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基氧基、具有至少一个碳原子之饱和或不饱和烃基胺基、三氟甲基、氰基或卤原子，R 25 与R 26 可为相同或不同，R 25 与R 26 之一表示氢原子、氰基、硝基、三氟甲基或卤原子，而其余一个表示氢原子、氰基、硝基、三氟甲基或卤原子，且R 27 表示氢原子、经取代或未经取代之饱和或不饱和C1-6烷基、经取代或未经取代之脂环族烃基、经取代或未经取代之芳基、经取代或未经取代之C1-6烷氧基、经取代或未经取代之脂环族烃基氧基或经取代或未经取代之芳族烃基氧基。 ;4.根据申请专利范围第3项之胺基苯乙烯基萘化合物，其系以如申请专利范围第1项中所定义之式(5),(6),(7),(8),(9),(10),(11),(12),(13),(14),(15),(16)或(17)表示。 ;5.一种制造以申请专利范围第2项中所定义之式[A]表示之胺基苯乙烯基萘化合物之方法，其包括使以下式[B]表示之4-胺基苯甲醛，与至少一种以下式[C]表示之膦酸酯，及以下式[D]表示之鏻，接受缩合：其中R a 与R b 均具有如上文定义之相同意义；其中R j 表示烃基，R c ,R d ,R e ,R f ,R g ,R h 及R i 均具有如上文定义之相同意义，且X表示卤原子。 ;6.一种制造如申请专利范围第3项中所定义之以式[I]、[II]或[III]表示之胺基苯乙烯基萘化合物之方法，其包括使以下式[IV]表示之4-(N,N-二芳基胺基)苯甲醛，与以下式[V]表示之膦酸酯及以下式[VI]表示之鏻中之至少一种，接受缩合：其中R 71 与R 72 各独立表示相应于如上文定义之R 1 ,R 2 ,R 11 ,R 12 ,R 23 或R 24 之芳基；其中R 73 表示烃基，R 74 与R 75 各独立表示相应于如上文定义之R 3 ,R 4 ,R 13 ,R 14 ,R 25 或R 26 之基团，R 76 表示相应于如上文定义之R 5 、R 15 或R 27 之基团，且X表示卤原子。 ;7.根据申请专利范围第5项之方法，其中该缩合系藉由Wittig-Horner反应进行，将该膦酸酯与该鏻中之至少一种，在溶剂中以硷处理，以形成碳阴离子，并使该碳阴离子与该4-(N,N-二芳基胺基)苯甲醛接受缩合。 ;8.根据申请专利范围第5项之方法，其中该缩合系藉由Wittig反应进行，将该膦酸酯与该鏻中之至少一种，在溶剂中以硷处理，以形成碳阴离子，并使该碳阴离子与该4-(N,N-二芳基胺基)苯甲醛接受缩合。 ;9.根据申请专利范围第6项之方法，其中系获得如申请专利范围第1项中所定义之以式(5),(6),(7),(8),(9),(10),(11),(12),(13),(14),(15),(16)或(17)表示之胺基苯乙烯基萘化合物。 ;10.一种以下式[C]表示之膦酸酯：其中R j 表示烃基，R c ,R d ,R e ,R f ,R g ,R h 及R i 均具有如上文定义之相同意义。 ;11.一种以下式[D]表示之鏻：其中R c ,R d ,R e ,R f ,R g ,R h 及R i 均具有如上文定义之相同意义，且X表示卤原子。 ;12.一种以下式[V]表示之膦酸酯：其中R 73 表示烃基，R 74 与R 75 各独立表示相应于R 3 ,R 4 ,R 13 ,R 14 ,R 25 或R 26 之基团，以及R 76 表示相应于R 5 ,R 15 或R 27 之基团。 ;13.一种以下式[VI]表示之鏻： R 74 与R 75 各独立表示相应于R 3 ,R 4 ,R 13 ,R 14 ,R 25 或R 26 之基团，R 76 表示相应于R 5 ,R 15 或R 27 之基团，且X表示卤原子。 ;14.根据申请专利范围第12项之膦酸酯，其中R 73 表示具有1至4个碳原子之饱和烃基。 ;15.根据申请专利范围第12项之膦酸酯，其系以下式(18)表示：其中R 73 及R 76 均具有如上文定义之相同意义。 ;16.根据申请专利范围第13项之鏻，其系以下式(19)表示：其中R 76 及X均具有如上文定义之相同意义。 ;17.一种制造根据申请专利范围第10项或第11项之以式[C]或[D]表示之膦酸酯或鏻之方法，其包括使以下式[E]表示之卤化芳基化合物，与以下式[F]表示之亚磷酸三烷酯或三苯膦(PPh3)反应：式[F]P(OR i )3其中R c ,R d ,R e ,R f ,R g ,R h ,R i 及X均具有如上文定义之相同意义，且R j 表示烃基。 ;18.一种制造根据申请专利范围第12或13项之以式[V]或[VI]表示之膦酸酯或鏻之方法，其包括使以下式[VII]表示之卤化芳基化合物，与以下式[VIII]表示之亚磷酸三烷酯或三苯膦(PPh3)反应：式[VIII]P(OR 73 )3其中R 74 、R 75 、R 76 及X均具有根据申请专利范围第6项之相同意义，且R 73 表示烃基。 ;19.根据申请专利范围第18项之方法，其中R 73 表示具有1至4个碳原子之饱和烃基。 ;20.根据申请专利范围第18项之方法，其中系获得如申请专利范围第15或16项中所定义之以式(18)或(19)表示之膦酸酯或鏻。 ;21.一种以下式[E]表示之卤化芳基化合物，其中：R c ,R d ,R e ,R g ,R h 及R i 可为相同或不同，R c ,R d ,R e ,R g ,R h 及R i 中至少一个系独立表示氢原子、氰基、硝基、三氟甲基或卤原子，而R c ,R d ,R e ,R g ,R h 及R i 中之其余一或多个，若含有时，系各为氢原子、氰基、硝基、三氟甲基或卤原子，且R f 表示经取代或未经取代之饱和或不饱和C1-6烷基、经取代或未经取代之脂环族烃基、经取代或未经取代之芳基、经取代或未经取代之C1-6烷氧基、经取代或未经取代之脂环族烃基氧基或经取代或未经取代之芳族烃基氧基。 ;22.根据申请专利范围第21项之卤化芳基化合物，其系以下式[VII]表示：其中R 74 与R 75 可为相同或不同，R 74 与R 75 之一表示氢原子、氰基、硝基、三氟甲基或卤原子，而其余一个表示氢原子、氰基、硝基、三氟甲基或卤原子；R 76 表示经取代或未经取代之饱和或不饱和烷基、经取代或未经取代之脂环族烃基、经取代或未经取代之芳基、经取代或未经取代之烷氧基、经取代或未经取代之脂环族烃基氧基或经取代或未经取代之芳族烃基氧基；且X表示卤原子。 ;23.一种制造根据申请专利范围第21项之以式[E]表示之卤化芳基化合物之方法，其包括使以下式[G]表示之萘化合物，与以下式[H]表示之N-卤化琥珀醯亚胺反应：其中R c ,R d ,R e ,R f ,R g ,R h 及R i 均具有如上文定义之相同意义；其中X表示卤原子。 ;24.根据申请专利范围第23项之方法，其中以下式[IX]表示之萘化合物，系作为该萘化合物使用，以获得如申请专利范围第22项中所定义之以式[VII]表示之卤化萘化合物：其中R 74 、R 75 及R 76 均具有如上文定义之相同意义。;图1为根据本发明一项具体实施例之有机场致发光装置之示意断片横截面图。;图2为根据本发明另一项具体实施例之有机场致发光装置之示意断片横截面图。;图3为根据本发明进一步具体实施例之有机场致发光装置之示意断片横截面图。;图4为根据本发明又进一步具体实施例之有机场致发光装置之示意断片横截面图。;图5为根据本发明再进一步具体实施例之有机场致发光装置之示意断片横截面图。;图6为根据本发明又再进一步具体实施例之有机场致发光装置之示意断片横截面图。;图7为利用根据本发明有机场致发光装置之全色彩平板显示器之构造图表。;图8为本发明实例1中制造之有机场致发光装置之发射光谱图表。;图9为本发明实例1中制造之有机场致发光装置之电压-发光度特性图表。;图10为本发明实例1中制成且适用于有机场致发光装置中之胺基苯乙烯基萘化合物之 1 H-NMR光谱图表。 |
