Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie

摘要

Ein Projektionsbelichtungsverfahren zur Belichtung eines im Bereich einer Bildfläche eines Projektionsobjektivs angeordneten, strahlungsempfindlichen Substrats mit mindestens einem Bild eines im Bereich einer Objektfläche des Projektionsobjektivs angeordneten Musters einer Maske umfasst ein Belichten des Substrats mit dem Bild des Musters in einem effektiven Bildfeld des Projektionsobjektivs während eines Belichtungszeitintervalls sowie eine Veränderung einer relativen Positionierung zwischen einer Oberfläche des Substrats und einer Fokusfläche des Projektionsobjektivs während des Belichtungszeitintervalls derart, dass Bildpunkte im effektiven Bildfeld während des Belichtungszeitintervalls mit unterschiedlichen Fokuslagen des Bildes der Maske belichtet werden. Durch eine aktive Kompensation mindestens eines Teils von mindestens einem durch die Änderung der Fokuslagen induzierten Abbildungsfehler während des Belichtungszeitintervalls wird erreicht, dass die Abbildungsqualität durch die Veränderung der Fokussierung während des Belichtungszeitintervalls nicht wesentlich beeinträchtigt wird.