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发明名称 Herstellungsverfahren von einer Halbleitervorrichtung aus einer Nitridverbindung der Gruppe III
摘要
申请公布号 DE60044411(D1) 申请公布日期 2010.07.01
申请号 DE20006044411 申请日期 2000.03.02
申请人 TOYODA GOSEI CO. LTD. 发明人 SHIBATA, NAOKI;ITO, JUN;CHIYO, TOSHIAKI;ASAMI, SHIZUYO;WATANABE, HIROSHI;SENDA, MASANOBU;ASAMI, SHINYA
分类号 H01L21/20;C30B25/02;C30B29/40;H01L21/205;H01L33/00 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
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