| 发明名称 | 等离子体蚀刻的控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明中公开了一种等离子体蚀刻的控制方法，该方法包括：在等离子体蚀刻工艺中，逐步增大作用于等离子体的偏转功率，并逐步减小所使用的氧气流量。通过使用上述的方法，可以在保持较大的蚀刻速度的同时，尽可能地保护PR层，使得蚀刻后的PR层仍保持较厚的厚度；同时，还可以在进行过蚀刻时防止阻挡层被刻穿。另外，通过使用上述的方法，还可使得蚀刻后所形成的通孔具有比较垂直的外部轮廓，而且各个通孔之间也具有较好的均匀性，从而可提高蚀刻后所形成的半导体元件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101764040A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN200810207618.X | 申请日期 | 2008.12.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 孙武 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 宋志强;麻海明 |
| 主权项 | 一种等离子体蚀刻的控制方法，其特征在于，该方法包括：在等离子体蚀刻工艺中，作用于等离子体的偏转功率从初始值逐步增大到最终值，所使用的氧气流量从初始值逐步减小到最终值。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||