发明名称 |
一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液 |
摘要 |
本发明一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液,属于化学机械抛光用的抛光液,特别涉及化学机械抛光单晶氧化镁用抛光液领域。抛光液的pH值为1.5~7.0。抛光液的组成成分按重量百分比如下:磨料0.5~30%;抑制剂0.0001~1%;络合剂0.001~10%;余量为去离子水。抛光液的磨料粒径为10~500nm,选自SiO2、ZrO2、Al2O3、TiO2、MgO或CeO2水溶胶。抛光液的络合剂选自含有磷氧双键的有机酸、有机酸盐、无机酸、无机酸盐。抛光液的抑制剂选自含有五元环的化合物。本发明抛光液材料去除率高,抛光样品表面粗糙度低,表面无划痕和凹坑等缺陷;抛光液的配制简便,成本低。 |
申请公布号 |
CN101760138A |
申请公布日期 |
2010.06.30 |
申请号 |
CN201010010121.6 |
申请日期 |
2010.01.12 |
申请人 |
大连理工大学 |
发明人 |
康仁科;王科;金洙吉;郭东明;董志刚 |
分类号 |
C09G1/02(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I |
主分类号 |
C09G1/02(2006.01)I |
代理机构 |
大连理工大学专利中心 21200 |
代理人 |
关慧贞 |
主权项 |
一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液,其特征在于,抛光液的pH值在1.5~7.0之间,抛光液的组成成分按重量百分比如下:磨料0.5~30%;抑制剂0.0001~1%;络合剂0.001~10%;余量为去离子水。 |
地址 |
116024 辽宁省大连市大连市甘井子区凌工路2号 |