发明名称 一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液
摘要 本发明一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液,属于化学机械抛光用的抛光液,特别涉及化学机械抛光单晶氧化镁用抛光液领域。抛光液的pH值为1.5~7.0。抛光液的组成成分按重量百分比如下:磨料0.5~30%;抑制剂0.0001~1%;络合剂0.001~10%;余量为去离子水。抛光液的磨料粒径为10~500nm,选自SiO2、ZrO2、Al2O3、TiO2、MgO或CeO2水溶胶。抛光液的络合剂选自含有磷氧双键的有机酸、有机酸盐、无机酸、无机酸盐。抛光液的抑制剂选自含有五元环的化合物。本发明抛光液材料去除率高,抛光样品表面粗糙度低,表面无划痕和凹坑等缺陷;抛光液的配制简便,成本低。
申请公布号 CN101760138A 申请公布日期 2010.06.30
申请号 CN201010010121.6 申请日期 2010.01.12
申请人 大连理工大学 发明人 康仁科;王科;金洙吉;郭东明;董志刚
分类号 C09G1/02(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I 主分类号 C09G1/02(2006.01)I
代理机构 大连理工大学专利中心 21200 代理人 关慧贞
主权项 一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液,其特征在于,抛光液的pH值在1.5~7.0之间,抛光液的组成成分按重量百分比如下:磨料0.5~30%;抑制剂0.0001~1%;络合剂0.001~10%;余量为去离子水。
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